GD200HFQ120C2SD, IGBT Modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 200A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Slēgšanas režīma barošanas avots
Induktīvā sildīšana
elektriskās sārgmašīnas

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C	324 200	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	400	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C	1181	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	200	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	400	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T vjmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T vjop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	2500	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C		1.85	2.30	V
		I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C		2.25
		I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C		2.35
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =8.00 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			3.8		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		21.6		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		0.59		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15...+15V		1.68		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =4,7Ω, Garums s =45 nH , V ĢEN =±15V,T vj =25 O C		100		ns
T r	Atkāpšanās laiks			72		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			303		ns
T F	Nolieku laiks			71		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			26.0		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			6.11		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =4,7Ω, Garums s =45 nH , V ĢEN =±15V,T vj =125 O C		99		ns
T r	Atkāpšanās laiks			76		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			325		ns
T F	Nolieku laiks			130		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			33.5		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			8.58		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =4,7Ω, Garums s =45 nH , V ĢEN =±15V,T vj = 150 O C		98		ns
T r	Atkāpšanās laiks			80		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			345		ns
T F	Nolieku laiks			121		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			36.2		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			9.05		mJ
I SC	SC dati	T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		750		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =200A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		I F =200A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C		1.90
		I F =200A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C		1.95
Q r	Atgūstas Uzlāde	V r = 600V,I F =200A, -di\/dt=1890A\/μs,V ĢEN =-15V, Garums s =45 nH ,T vj =25 O C		19.4		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			96		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			5.66		mJ
Q r	Atgūstas Uzlāde	V r = 600V,I F =200A, -di\/dt=1680A\/μs,V ĢEN =-15V, Garums s =45 nH ,T vj =125 O C		29.5		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			106		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			8.56		mJ
Q r	Atgūstas Uzlāde	V r = 600V,I F =200A, -di\/dt=1600A\/μs,V ĢEN =-15V, Garums s =45 nH ,T vj = 150 O C		32.2		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			107		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			9.24		mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība			20	nH
r CC+EE	Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu		0.35		mΩ
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)			0.127 0.163	K/W
r tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)		0.036 0.046 0.010		K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Svars of modulis		300		G