GD200HFF120C8S, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 o C

@ T C = 85 o C

294

200

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

400

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 o C

1056

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

200

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

400

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

1.90

2.35

V

I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125o C

2.40

I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C

2.55

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =5.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C

100

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

3.75

ω

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 o C

374

ns

t r

Atkāpšanās laiks

50

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

326

ns

t f

Nolieku laiks

204

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

13.8

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

10.4

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V ĢEN =±15V, T j = 125o C

419

ns

t r

Atkāpšanās laiks

63

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

383

ns

t f

Nolieku laiks

218

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

20.8

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

11.9

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150o C

419

ns

t r

Atkāpšanās laiks

65

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

388

ns

t f

Nolieku laiks

222

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

22.9

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

11.9

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =200A,V ĢEN =0V,T j =25 o C

1.90

2.35

V

I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 125o C

1.90

I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 150o C

1.90

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 o C

10.2

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

90

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

3.40

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125o C

26.2

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

132

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

9.75

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150o C

30.4

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

142

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

11.3

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

26

nH

R CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.62

mΩ

R tJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.142

0.202

K/W

R tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: (atkārtojiet)

0.157

0.223

0.046

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of Modulis

200

g