Visas kategorijas

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1200V

GD200FFY120C6SF, IGBT modulis, STARPOWER

1200V 200A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200FFY120C6SF
  • Ievads
  • Kontūra
  • Ekvivalentā shēma
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1200V 200A.

Iespējas

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Zemas slēgšanas zudumi
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175℃
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

  • Slēgšanas režīma barošanas avots
  • Induktīvā sildīšana
  • elektriskās sārgmašīnas

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 85 O C

294

200

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

400

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C

1056

Platums

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

200

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

400

A

modulis

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.90

2.35

V

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125O C

2.40

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.55

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =5.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

100

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

3.75

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

20.7

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.58

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

1.55

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =0.75Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 O C

374

ns

T r

Atkāpšanās laiks

50

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

326

ns

T F

Nolieku laiks

204

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

13.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

10.4

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =0.75Ω,V ĢEN =±15V, T j = 125O C

419

ns

T r

Atkāpšanās laiks

63

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

383

ns

T F

Nolieku laiks

218

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

20.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

11.9

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =0.75Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150O C

419

ns

T r

Atkāpšanās laiks

65

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

388

ns

T F

Nolieku laiks

222

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

22.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

11.9

mJ

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =200A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

V

I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.90

I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C

10.2

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

90

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

3.40

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125O C

26.2

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

132

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

9.75

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150O C

30.4

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

142

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

11.3

mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

15

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.25

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.142

0.202

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: (atkārtojiet)

0.034

0.048

0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G

Kontūra

Ekvivalentā shēma

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000