GD200CEX120C8SN, IGBT modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 200A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Inverteris motora vadībai
AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C	363 200	A
I CRM	Atkārtošanās Pīķis Kolektors Pašreiz tp ierobežotas Ar T vjop	400	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C	1293	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtrauktais priekšējais strāva ent	200	A
I Diodes uzpriekšējā strāva	Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreiz tp ierobežotas Ar T vjop	400	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
T vjmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T vjop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	2500	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C		1.75	2.20	V
		I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C		2.00
		I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C		2.05
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =8.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			1.0		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		18.6		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		0.52		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15 ...+15V		1.40		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =2.0Ω, Ls=50nH, V ĢEN =±15V, T vj =25 O C		140		ns
T r	Atkāpšanās laiks			31		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			239		ns
T F	Nolieku laiks			188		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			11.2		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			13.4		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =2.0Ω, Ls=50nH, V ĢEN =±15V, T vj =125 O C		146		ns
T r	Atkāpšanās laiks			36		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			284		ns
T F	Nolieku laiks			284		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			19.4		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			18.9		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =2.0Ω, Ls=50nH, V ĢEN =±15V, T vj = 150 O C		148		ns
T r	Atkāpšanās laiks			37		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			294		ns
T F	Nolieku laiks			303		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			21.7		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			19.8		mJ
I SC	SC dati	T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =200A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		I F =200A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C		1.90
		I F =200A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C		1.95
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =200A, -di⁄dt=5710A⁄μs, Ls=50nH, V ĢEN =-15V, T vj =25 O C		20.0		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			220		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			7.5		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =200A, -di⁄dt=4740A⁄μs, Ls=50nH, V ĢEN =-15V, T vj =125 O C		34.3		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			209		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			12.9		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F =200A, -di⁄dt=4400A⁄μs, Ls=50nH, V ĢEN =-15V, T vj = 150 O C		38.7		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			204		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			14.6		mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)			0.116 0.185	K/W
r tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)		0.150 0.239 0.046		K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis	2.5 2.5		3.5 3.5	N.m.
G	Svars of modulis		200		G