GD150PIY120C6SN, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C

292

150

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

300

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

1111

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

150

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

300

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1600

V

I O

Vidējā izvades strāva 5 0Hz/60Hz, sinusoida

150

A

I FSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T j =2 5O C @ T j = 150 O C

1600

1400

A

I 2T

I 2t-vērtība,t p =10ms @ T j =25 O C @ T j = 150 O C

13000

9800

A 2s

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C

200

100

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

200

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

833

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

50

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

100

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra (inverters, breikis) Maksimālā savienojuma temperatūra (pretējās straumes pārveidotājs)

175

150

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =150A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =150A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.95

I C =150A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =6.00 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.0

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

15.5

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.44

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15 ...+15V

1.17

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =150A, r G =1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =25 O C

96

ns

T r

Atkāpšanās laiks

30

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

255

ns

T F

Nolieku laiks

269

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

8.59

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

12.3

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =150A, r G =1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =125 O C

117

ns

T r

Atkāpšanās laiks

37

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

307

ns

T F

Nolieku laiks

371

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

13.2

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

16.8

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =150A, r G =1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150 O C

122

ns

T r

Atkāpšanās laiks

38

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

315

ns

T F

Nolieku laiks

425

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

14.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

18.1

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =150A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.85

2.25

V

I F =150A,V ĢEN =0V,T j =1 25O C

1.90

I F =150A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=4750A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =25 O C

8.62

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

177

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

5.68

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=3950A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =125 O C

16.7

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

191

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

10.2

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=3750A⁄μs,V ĢEN =-15V T j = 150 O C

19.4

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

196

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

12.1

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I C =150A, T j = 150 O C

1.00

V

I r

Atpakaļgaitas strāva

T j = 150 O C,V r =1600V

3.0

mA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =100A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =100A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.95

I C =100A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =4.00 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

7.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

10.4

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.29

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15 ...+15V

0.08

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =100A, r G =1,6Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 O C

170

ns

T r

Atkāpšanās laiks

32

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

360

ns

T F

Nolieku laiks

86

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

5.90

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

6.05

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =100A, r G =1,6Ω,V ĢEN =±15V, T j =125 O C

180

ns

T r

Atkāpšanās laiks

42

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

470

ns

T F

Nolieku laiks

165

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

9.10

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

9.35

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =100A, r G =1,6Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150 O C

181

ns

T r

Atkāpšanās laiks

43

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

480

ns

T F

Nolieku laiks

186

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

10.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

10.5

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =50A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

I F =50A,V ĢEN =0V,T j =125 O C

1.90

I F =50A,V ĢEN =0V,T j = 150 O C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =50A,

-di⁄dt=1400A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =25 O C

6.3

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

62

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

1.67

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =50A,

-di⁄dt=1400A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =125 O C

10.1

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

69

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

2.94

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =50A,

-di⁄dt=1400A⁄μs,V ĢEN =-15V T j = 150 O C

11.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

72

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

3.63

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of r 100

T C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

40

nH

r CC+EE r AA + CC ’

Modulā "Slēpuma pretestība" nce, Kontakti līdz čipam

4.00 3.00

mΩ

r TJC

Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT -Invertors ) Saistība starp savienojumu un korpusu (katram DĪODA-invertoru er) Savinieks-līdz sargkorpuss (katram diodam-retif ier) Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT -Bremze )

Savinājums līdz korpusam (par Diodu-br ake)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

r tCH

KĻŪDA -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT -Invertors )Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-i nverters) Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-re ctifiers) KĻŪDA -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT -Bremze )

Korpusam līdz dzesētājam (par Dio de-brake) Izmērs: Modulis)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

m

Monta griezes moments, Šķirbju:M5

3.0

6.0

N.m.