GD150HFX170C1S, IGBT modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1700V 150A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Inverteris motora vadībai
AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1700	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C = 95 O C	229 150	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	300	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C	815	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1700	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	150	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	300	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.	4000	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =150A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C		1.85	2.30	V
		I C =150A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C		2.25
		I C =150A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C		2.35
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =6.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C			5.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība			5.0		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		18.1		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		0.44		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15 ...+15V		1.41		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =150A, r G =3.3Ω,V ĢEN =±15V, Garums s =70 nH , T j =25 O C		303		ns
T r	Atkāpšanās laiks			75		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			417		ns
T F	Nolieku laiks			352		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			42.3		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			25.3		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =150A, r G =3.3Ω,V ĢEN =±15V, Garums s =70 nH ,T j =125 O C		323		ns
T r	Atkāpšanās laiks			88		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			479		ns
T F	Nolieku laiks			509		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			58.9		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			34.9		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =150A, r G =3.3Ω,V ĢEN =±15V, Garums s =70 nH ,T j = 150 O C		327		ns
T r	Atkāpšanās laiks			90		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			498		ns
T F	Nolieku laiks			608		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			65.6		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			40.2		mJ
I SC	SC dati	T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		600		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =150A,V ĢEN =0V,T j =25 O C		1.80	2.25	V
		I F =150A,V ĢEN =0V,T j =1 25O C		1.90
		I F =150A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C		1.95
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 900V,I F =150A, -di/dt=1510A/μs,V ĢEN =-15V Garums s =70 nH , T j =25 O C		26.2		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			131		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			21.6		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 900V,I F =150A, -di/dt=1280A/μs,V ĢEN =-15V Garums s =70nH, T j =125 O C		48.0		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			140		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			40.1		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 900V,I F =150A, -di/dt=1240A/μs,V ĢEN =-15V Garums s =70nH, T j = 150 O C		52.3		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			142		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			42.5		mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība			30	nH
r CC+EE	Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu		0.65		mΩ
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)			0.184 0.368	K/W
r tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)		0.150 0.300 0.050		K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Svars of modulis		150		G