GD150HFU120C2SD, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C = 85 O C

241

150

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

300

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj = 150 O C

1262

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

150

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

300

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

O C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +125

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =150A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

2.90

3.35

V

I C =150A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C

3.60

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =3.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.50

Ω

C 125 °C

ies

V CE =30V,f=1MHz, V ĢEN =0V

19.2

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.60

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15...+15V

1.83

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =150A, r G =6.8Ω,Ls=48nH, V ĢEN =±15V,T vj =25 O C

74

ns

T r

Atkāpšanās laiks

92

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

401

ns

T F

Nolieku laiks

31

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

19.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

3.09

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =150A, r G =6.8Ω, Ls=48nH, V ĢEN =±15V,T vj =125 O C

61

ns

T r

Atkāpšanās laiks

95

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

444

ns

T F

Nolieku laiks

47

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

22.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

3.99

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =125 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

975

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =150A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =150A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C

1.90

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=1480A⁄μs,V ĢEN =-15V, LS =48 nH ,T vj =25 O C

13.7

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

91

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

4.01

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=1560A⁄μs,V ĢEN =-15V, LS =48 nH ,T vj =125 O C

22.1

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

111

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

6.65

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

30

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.35

mΩ

r TJC

Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.099 0.259

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)

0.028 0.072 0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G