GD2400SGX170C4S,IGBT Modulis,Lielstrāvas igbt modulis,STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1 700V 1200A ,A3 .

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
AlSiC pamatne augstas jaudas ciklu spējām
AlN substrāts zemākās temperatūras pretestībai CE

Tipiskas lietošanas metodes

AC invertera dzinēji
Pārvietojošā režīmā esošie enerģijas avoti
Elektroniski velmētāji

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1700	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C	2206 1200	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	2400	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C	8.77	KW

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1700	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	1200	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	2400	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.	4000	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =1200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C		1.85	2.20	V
		I C =1200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C		2.25
		I C =1200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C		2.35
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =48,0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C			5.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība			1.0		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		145		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		3.51		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15 ...+15V		11.3		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =1200A, r G =1,0Ω, V ĢEN =-9/+15V, Garums s =65 nH ,T j =25 O C		440		ns
T r	Atkāpšanās laiks			112		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			1200		ns
T F	Nolieku laiks			317		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			271		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			295		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =1200A, r G =1,0Ω, V ĢEN =-9/+15V, Garums s =65 nH ,T j =125 O C		542		ns
T r	Atkāpšanās laiks			153		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			1657		ns
T F	Nolieku laiks			385		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			513		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			347		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =1200A, r G =1,0Ω, V ĢEN =-9/+15V, Garums s =65 nH ,T j = 150 O C		547		ns
T r	Atkāpšanās laiks			165		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			1695		ns
T F	Nolieku laiks			407		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			573		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			389		mJ
I SC	SC dati	T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		4800		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =1200A,V ĢEN =0V, T j =25℃		1.80	2.25	V
		I F =1200A,V ĢEN =0V, T j =125℃		1.90
		I F =1200A,V ĢEN =0V, T j =150℃		1.95
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 900V,I F =1200A, -di/dt=10500A/μs,V ĢEN =-9V, Garums s =65nH,T j =25℃		190		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			844		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			192		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 900V,I F =1200A, -di/dt=7050A/μs,V ĢEN =-9V, Garums s =65nH,T j =125℃		327		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			1094		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			263		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 900V,I F =1200A, -di/dt=6330A/μs,V ĢEN =-9V, Garums s =65nH,T j =150℃		368		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			1111		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			275		mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		12		nH
r CC+EE	Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu		0.19		mΩ
r TJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)			17.1 26.2	K/kW
r tCH	KĻŪDA -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT )Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis)		9.9 15.2 6.0		K/kW
m	Jaudas termināls Šķirbju:M4 Jaudas termināls Šķirbju:M8 Pievienošanas skrūvs:M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10.0 5.75	N.m.
G	Svars of modulis		1050		G