IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD1200SGT120C3S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

1900

1200

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

2400

A

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

@ T C =80 °C

1200

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

2400

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 75°C

6.79

KW

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Montāža Nomākšanas

Signāla termināla skrūve:M4

1.8 līdz 2.1

Jaudas termināla skrūve:M8

8.0 līdz 10

N.m.

Pievienošanas skrūvs:M6

4.25 līdz 5.75

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =48 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 1200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C = 1200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.00

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =1200A,

r Gons = 1.8Ω,R Goff =0.62Ω,

V ĢEN =±15V,T j =25 °C

550

ns

T r

Atkāpšanās laiks

230

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

830

ns

T F

Nolieku laiks

160

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

/

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

/

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 1200A,

r Gons = 1.8Ω,R Goff =0.62Ω, V ĢEN =±15V,T j =125 °C

650

ns

T r

Atkāpšanās laiks

240

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

970

ns

T F

Nolieku laiks

190

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

246

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

189

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

85.5

MHz

C ejs

Izvades jauda

4.48

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

3.87

MHz

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C,

V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

4800

A

r Gint

Iekšējā vārti

pretestība

1.9

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

15

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.10

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 1200A

T j =25 °C

1.65

2.05

V

T j =125 °C

1.65

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F = 1200A,

V r =600V,

r Gons =0.6Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

112

μC

T j =125 °C

224

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

850

A

T j =125 °C

1070

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

48.0

mJ

T j =125 °C

96.0

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

22.1

K/kW

r θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

36.8

K/kW

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

6

K/kW

Svars

Svars modulis

1500

G