Visi kategorijas

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1200V

GD100HHU120C6SD, IGBT modulis, STARPOWER

1200V 100A, iepakojums: C6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD100HHU120C6SD
  • Ievads
  • Kontūra
  • Ekvivalentā shēma
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 100A.

Iespējas

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

  • Slēgšanas režīma barošanas avots
  • Induktīvā sildīšana
  • elektriskās sārgmašīnas

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =75 O C

146

100

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

200

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj = 150 O C

771

Platums

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

100

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

200

A

modulis

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

O C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +125

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

2500

V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =100A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

3.00

3.45

V

I C =100A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C

3.80

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =4,0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.0

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

6.50

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.42

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15...+15V

1.10

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =100A, r G =9.1Ω,V ĢEN =±15V, LS =48 nH ,T vj =25 O C

38

ns

T r

Atkāpšanās laiks

50

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

330

ns

T F

Nolieku laiks

27

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

8.92

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

2.06

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =100A, r G =9.1Ω,V ĢEN =±15V, LS =48 nH ,T vj =125 O C

37

ns

T r

Atkāpšanās laiks

50

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

362

ns

T F

Nolieku laiks

43

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

10.7

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

3.69

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =125 O C ,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

650

A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =100A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =100A,V ĢEN =0V,T vj =125 O C

1.90

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V ĢEN =-15V LS =48 nH ,T vj =25 O C

11.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

101

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

4.08

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V ĢEN =-15V LS =48 nH ,T vj =125 O C

19.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

120

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

7.47

mJ

NTC raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r 25

Nominālais pretestība

5.0

∆R/R

Atkāpe of r 100

T vj =100 O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

21

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

2.60

r TJC

Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.162 0.401

K/W

r tCH

KĻŪDA -uz -mitrains (perIGBT )

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram diodam)

Izmērs: (atkārtojiet)

0.051 0.125 0.009

K/W

m

Monta griezes moments, M6 skrūvis

3.0

6.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G

Kontūra

Ekvivalentā shēma

Saņemiet bezmaksas kavu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Saņemt Kalkulāciju

Saņemiet bezmaksas kavu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000