GD100HCX170C6SA , IGBT Modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =100 O C

196

100

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

200

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 O C

815

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

100

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

200

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =100A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

1.85

2.20

V

I C =100A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 O C

2.25

I C =100A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =4.00 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

7.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

12.0

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.29

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15 ...+15V

0.94

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =100A, r G =1.0Ω,V ĢEN =±15V, LS =52 nH ,T vj =25 O C

196

ns

T r

Atkāpšanās laiks

44

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

298

ns

T F

Nolieku laiks

367

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

26.4

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

14.7

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =100A, r G =1.0Ω,V ĢEN =±15V, LS =52 nH ,T vj =125 O C

217

ns

T r

Atkāpšanās laiks

53

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

361

ns

T F

Nolieku laiks

516

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

36.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

21.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =100A, r G =1.0Ω,V ĢEN =±15V, LS =52 nH ,T vj = 150 O C

223

ns

T r

Atkāpšanās laiks

56

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

374

ns

T F

Nolieku laiks

551

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

39.1

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

22.4

mJ

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj = 150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

400

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

1.10

mΩ

r TJC

Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.184 0.274

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)

0.060 0.090 0.009

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Svars of modulis

350

G