Produkta brošūra: LEJUPIELĀDĒT
Īss ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 750V 1000A ,P6 .
Iespējas
Tipiskas lietošanas metodes
Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju | Apraksts | Vērtības | Drošības un drošības politika |
V Tips | Sildītājs-izsildītājs | 750 | V |
V =150 °C | Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums | ±20 | V |
I CN | Izmantotais kolektors Cu īr | 1000 | A |
I C | Kolektora strāva @ T F =125 O C | 450 | A |
I CM | Impulsu kolektora strāva t p =1ms | 2000 | A |
p D | Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75 O C T vj =175 O C | 1282 | Platums |
Dioda
Sīkāku informāciju | Apraksts | Vērtības | Drošības un drošības politika |
V RRM | Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums | 750 | V |
I FN | Izmantotais kolektors Cu īr | 1000 | A |
I F | Dioda nepārtraukta uz priekšu īr | 450 | A |
I FM | Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms | 2000 | A |
modulis
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
T vjmax | Maksimālā savienojuma temperatūra | 175 | O C |
T vjop | Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta Jo 10 sekundēm laikposmā 30s, notikums maksimāli 3000 reizes gar laiku | -40 līdz +150 +150 līdz +175 | O C |
T STG | Uzglabāšanas temperatūras diapazons | -40 līdz +125 | O C |
V ISO | Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min | 2500 | V |
D Kāpšana | Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu | 9.0 9.0 | mm |
D Skaidrs | Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu | 4.5 4.5 | mm |
IGBT raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika | ||||||||
V CE (sat) |
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums | I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C |
| 1.10 | 1.35 |
V | ||||||||
I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C |
| 1.10 |
| |||||||||||
I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C |
| 1.10 |
| |||||||||||
I C =1000A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C |
| 1.40 |
| |||||||||||
I C =1000A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C |
| 1.60 |
| |||||||||||
V ĢEN (ts ) | Vārda emitenta slieksnis Spriegums | I C =12.9 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C | 5.5 | 6.4 | 7.0 | V | ||||||||
I Tips | Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz | V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C |
|
| 1.0 | mA | ||||||||
I =150 °C | Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz | V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C |
|
| 400 | nA | ||||||||
r Gint | Iekšējā vārtu pretestība |
|
| 1.2 |
| Ω | ||||||||
C 125 °C | ies |
V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V |
| 66.7 |
| MHz | ||||||||
C ejs | Izvades jauda |
| 1.50 |
| MHz | |||||||||
C pretestība | Atgriezītais pārvedums Jauda |
| 0.35 |
| MHz | |||||||||
Q G | nF | V CE =400V, I C = 450A, V ĢEN =-15...+15V |
| 4.74 |
| μC | ||||||||
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC =400V, I C = 450A, r Gons = 1,2Ω, r Goff =1,0Ω, V ĢEN =-8V/+15V, Garums s =24nH, T vj =25 O C |
| 244 |
| ns | ||||||||
T r | Atkāpšanās laiks |
| 61 |
| ns | |||||||||
T d(izslēgt) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 557 |
| ns | |||||||||
T F | Nolieku laiks |
| 133 |
| ns | |||||||||
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 11.0 |
| mJ | |||||||||
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 22.8 |
| mJ | |||||||||
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC =400V, I C = 450A, r Gons = 1,2Ω, r Goff =1,0Ω, V ĢEN =-8V/+15V, Garums s =24nH, T vj = 150 O C |
| 260 |
| ns | ||||||||
T r | Atkāpšanās laiks |
| 68 |
| ns | |||||||||
T d(izslēgt) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 636 |
| ns | |||||||||
T F | Nolieku laiks |
| 226 |
| ns | |||||||||
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 16.9 |
| mJ | |||||||||
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 32.2 |
| mJ | |||||||||
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC =400V, I C = 450A, r Gons = 1,2Ω, r Goff =1,0Ω, V ĢEN =-8V/+15V, Garums s =24nH, T vj =175 O C |
| 264 |
| ns | ||||||||
T r | Atkāpšanās laiks |
| 70 |
| ns | |||||||||
T d(izslēgt) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 673 |
| ns | |||||||||
T F | Nolieku laiks |
| 239 |
| ns | |||||||||
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 19.2 |
| mJ | |||||||||
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 33.6 |
| mJ | |||||||||
I SC | SC dati | T p ≤ 6 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V |
| 4900 |
| A | ||||||||
|
| T p ≤3μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V |
|
3800 |
|
|
Dioda raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
V F |
Diode uz priekšu Spriegums | I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C |
| 1.40 | 1.65 |
V |
I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C |
| 1.35 |
| |||
I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =175 O C |
| 1.30 |
| |||
I F =1000A,V ĢEN =0V,T vj =25 O C |
| 1.80 |
| |||
I F =1000A,V ĢEN =0V,T vj =175 O C |
| 1.80 |
| |||
Q r | Atgūstamā nodeva |
V r =400V, I F = 450A, -di/dt=7809A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =24 nH ,T vj =25 O C |
| 18.5 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 303 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 3.72 |
| mJ | |
Q r | Atgūstamā nodeva |
V r =400V, I F = 450A, -di/dt=6940A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =24 nH ,T vj = 150 O C |
| 36.1 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 376 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 8.09 |
| mJ | |
Q r | Atgūstamā nodeva |
V r =400V, I F = 450A, -di/dt=6748A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =24 nH ,T vj =175 O C |
| 40.1 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 383 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 9.01 |
| mJ |
NTC raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
r 25 | Nominālais pretestība |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Atkāpe of r 100 | T C =100 O C R 100= 493,3Ω | -5 |
| 5 | % |
p 25 | Jauda Zudums |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | B vērtība | r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| K |
B 25/80 | B vērtība | r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| K |
B 25/100 | B vērtība | r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| K |
modulis raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
Garums CE | Neatklāta induktantība |
| 8 |
| nH |
r CC+EE | Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu |
| 0.75 |
| mΩ |
p | Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs T Atbalsta plāksne <40 O C T Atbalsta plāksne >40 O C (relatīvā spiediena) |
|
| 2.5 2.0 |
bars |
r TJF | Savienojums -uz -dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △ V/ △ t=10,0 DM 3/min ,T F =75 O C |
| 0.068 0.105 | 0.078 0.120 | K/W |
m | terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4 | 3.6 1.8 |
| 4.4 2.2 | N.m. |
G | Svars of modulis |
| 750 |
| G |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.