Visas kategorijas

IGBT Modulis 750V

IGBT Modulis 750V

Sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT Modulis 750V

GD1000HTA75P6HT

750V 1000A,

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1000HTA75P6HT
Appurtenance:

Produkta brošūra: LEJUPIELĀDĒT

  • Ievads
  • Kontūra
  • Ekvivalentā shēma
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 750V 1000A ,P6 .

Iespējas

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • Zemas slēgšanas zudumi
  • 6 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta medus pinfin pamatplāke, izmantojot Si3N4 AMB tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

  • Automobiļu lietojums
  • Hibrīda un elektriskā transportlīdzeklis
  • Inverteris motora vadībai

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

750

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I CN

Izmantotais kolektors Cu īr

1000

A

I C

Kolektora strāva @ T F =125 O C

450

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

2000

A

p D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75 O C T vj =175 O C

1282

Platums

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

750

V

I FN

Izmantotais kolektors Cu īr

1000

A

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

2000

A

modulis

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

Jo 10 sekundēm laikposmā 30s, notikums maksimāli 3000 reizes gar laiku

-40 līdz +150 +150 līdz +175

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

D Kāpšana

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

9.0 9.0

mm

D Skaidrs

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

4.5 4.5

mm

IGBT raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

1.10

1.35

V

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C

1.10

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C

1.10

I C =1000A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

1.40

I C =1000A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C

1.60

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =12.9 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.2

Ω

C 125 °C

ies

V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V

66.7

MHz

C ejs

Izvades jauda

1.50

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.35

MHz

Q G

nF

V CE =400V, I C = 450A, V ĢEN =-15...+15V

4.74

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A,

r Gons = 1,2Ω, r Goff =1,0Ω, V ĢEN =-8V/+15V,

Garums s =24nH, T vj =25 O C

244

ns

T r

Atkāpšanās laiks

61

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

557

ns

T F

Nolieku laiks

133

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

11.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

22.8

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A,

r Gons = 1,2Ω, r Goff =1,0Ω, V ĢEN =-8V/+15V,

Garums s =24nH, T vj = 150 O C

260

ns

T r

Atkāpšanās laiks

68

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

636

ns

T F

Nolieku laiks

226

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

16.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

32.2

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A,

r Gons = 1,2Ω, r Goff =1,0Ω, V ĢEN =-8V/+15V,

Garums s =24nH, T vj =175 O C

264

ns

T r

Atkāpšanās laiks

70

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

673

ns

T F

Nolieku laiks

239

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

19.2

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

33.6

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 6 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

T p ≤3μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Dioda raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C

1.40

1.65

V

I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C

1.35

I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =175 O C

1.30

I F =1000A,V ĢEN =0V,T vj =25 O C

1.80

I F =1000A,V ĢEN =0V,T vj =175 O C

1.80

Q r

Atgūstamā nodeva

V r =400V, I F = 450A,

-di/dt=7809A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =24 nH ,T vj =25 O C

18.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

303

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

3.72

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r =400V, I F = 450A,

-di/dt=6940A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =24 nH ,T vj = 150 O C

36.1

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

376

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

8.09

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r =400V, I F = 450A,

-di/dt=6748A/μs,V ĢEN =-8V Garums s =24 nH ,T vj =175 O C

40.1

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

383

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

9.01

mJ

NTC raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r 25

Nominālais pretestība

5.0

∆R/R

Atkāpe of r 100

T C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

modulis raksturlielumi T F =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

8

nH

r CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.75

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

T Atbalsta plāksne <40 O C

T Atbalsta plāksne >40 O C

(relatīvā spiediena)

2.5 2.0

bars

r TJF

Savienojums -uz -dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) V/ t=10,0 DM 3/min ,T F =75 O C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars of modulis

750

G

Kontūra

Ekvivalentā shēma

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000