GD1000HFA75N5HT

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

750

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I CN

Izmantotais kolektors Cu īr

1000

A

I C

Kolektors Pašreiz T vj =175 O C

680

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1360

A

p D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75 O C T vj =175 O C

1086

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

750

V

I FN

Izmantotais kolektors Cu īr

1000

A

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

680

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1360

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

-40 līdz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =680A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

1.25

1.50

V

I C =680A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 O C

1.35

I C =680A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C

1.40

I C =1000A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 O C

1.45

I C =1000A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 O C

1.70

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =9.60 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 O C

5.5

6.5

7.0

V

I C =9.60 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =175 O C

3.5

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.0

Ω

C 125 °C

ies

V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V

72.3

MHz

C ejs

Izvades jauda

1.51

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.32

MHz

Q G

nF

V CE =400V, I C =680A, V ĢEN =-10…+15V

4.10

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C =680A, r G =0.22Ω, Garums s =16 nH , V ĢEN =-10V/+15V,

T vj =25 O C

196

ns

T r

Atkāpšanās laiks

50

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

407

ns

T F

Nolieku laiks

125

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

11.1

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

29.1

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C =680A, r G =0.22Ω, Garums s =16 nH , V ĢEN =-10V/+15V,

T vj = 150 O C

222

ns

T r

Atkāpšanās laiks

63

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

471

ns

T F

Nolieku laiks

178

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

19.7

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

37.4

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C =680A, r G =0.22Ω, Garums s =16 nH , V ĢEN =-10V/+15V,

T vj =175 O C

224

ns

T r

Atkāpšanās laiks

68

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

490

ns

T F

Nolieku laiks

194

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

21.7

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

39.5

mJ

I SC

SC dati

T p ≤6μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

4000

A

T vj =25 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V

T p ≤3μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =680A,V ĢEN =0V,T vj =2 5O C

1.60

2.05

V

I F =680A,V ĢEN =0V,T vj = 150 O C

1.60

I F =680A,V ĢEN =0V,T vj =175 O C

1.55

I F =1000A,V ĢEN =0V,T vj =25 O C

1.80

I F =1000A,V ĢEN =0V,T vj =175 O C

1.75

Q r

Atgūstamā nodeva

V r =400V, I F =680A,

-di/dt=15030A/μs,V ĢEN =-10V, Garums s =16 nH ,T vj =25 O C

19.9

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

458

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

6.10

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r =400V, I F =680A,

-di/dt=12360A/μs,V ĢEN =-10V, Garums s =16 nH ,T vj = 150 O C

29.7

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

504

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

9.70

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r =400V, I F =680A,

-di/dt=11740A/μs,V ĢEN =- 10V, Garums s =16 nH ,T vj =175 O C

34.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

526

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

11.0

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r

Nomināls pretestība

T C =0 O C

T C = 150 O C

1000

1573

Ω Ω

T cr

Temperatūras koeficients n

0.38

%/K

T SH

Paša apkure

T C =0 O C

I m =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

5

nH

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

2.5

bars

r TJF

Savienojums -uz -dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △ V/ △ t=8.0 DM 3/min ,T F =65 O C

0.080 0.115

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

5.4 5.4

6.6 6.6

N.m.

G

Svars of modulis

220

G