IGBT Discrete

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 110O C

50

25

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p ierobežots ar T jmax

100

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

573

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +175

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-55 līdz +150

O C

T s

Saldēšanas temperatūra, 1.6mm no korpusa 10s

260

O C

m

Monta griezes moments, skrūve M3

0.6

N.m.

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =25A, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =25A, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j =125 O C

1.95

I C =25A, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =0.63 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

2.59

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.07

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15...+15V

0.19

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =25A, r G =20Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 O C

28

ns

T r

Atkāpšanās laiks

17

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

196

ns

T F

Nolieku laiks

185

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

1.71

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

1.49

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =25A, r G =20Ω,V ĢEN =±15V, T j =125 O C

28

ns

T r

Atkāpšanās laiks

21

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

288

ns

T F

Nolieku laiks

216

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

2.57

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

2.21

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =25A, r G =20Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150 O C

28

ns

T r

Atkāpšanās laiks

22

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

309

ns

T F

Nolieku laiks

227

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

2.78

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

2.42

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

100

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =25A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

2.20

2.65

V

I F =25A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

2.30

I F =25A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

2.25

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ĢEN =-15V T j =25 O C

1.43

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

34

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

0.75

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ĢEN =-15V T j = 125O C

2.4

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

42

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

1.61

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ĢEN =-15V T j = 150O C

2.6

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

44

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

2.10

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.262

0.495

K/W

r TJN

Savienojums ar vidi

40

K/W