MK(H)x75 MK75 ,Ātrā izslēgšanās tiristora moduļi,Gaisa dzesēšana

ātrās izslēgšanas tiristoru moduļi

MK(H)x75 MK75, ātra izslēgšanās tiristoru moduļi, gaisa dzenīšana

750A,600V ~ 1800V, 216F3B

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H) x75 MK75

Appurtenance:

Produkta brošūra: LEJUPIELĀDĒT

Ievads
Kontūra
Ekvivalentā shēma

Ievads

Īss ievads

ātrās izslēgšanas tiristoru moduļi ,MK(H) x200 MK200, 200A, gaisa dzesēšana ,TECHSEM.

VRRM,VDRM	Tips un kontūra
600V	MKx75-06-216F3B	MHx75-06-216F3B
800V	MKx75-08-216F3B	MHx75-08-216F3B
1000V	MKx75-10-216F3B	MHx75-10-216F3B
1200V	MKx75-12-216F3B	MHx75-12-216F3B
1400V	MKx75-14-216F3B	MHx75-14-216F3B
1600V	MKx75-16-216F3B	MHx75-16-216F3B
1800V	MKx75-18-216F3B	MHx75-18-216F3B
1800V	MK75-18-216F3BG

MKx apzīmē jebkura veida MKC, MKA, MKK

Iespējas ：

Izstrādātāji uz leju 2500V ~
Spiediena kontaktu tehnoloģija ar Augstums spēka cikla spēks
Vieta un svars sa uzlādēt

Tipiskas lietošanas metodes ：

Invertors
Induktīvā sildīšana
Griezējs

Sīkāku informāciju	Iemesls	Testēšanas apstākļi	Tj( 。C)	vērtību			Drošības un drošības politika
Sīkāku informāciju	Iemesls	Testēšanas apstākļi	Tj( 。C)	min	Tips	max	Drošības un drošības politika
IT(AV)	Vidējā ieslēgšanās strāva	180。pusviļņa 50Hz Viena puse dzesēta,Tc=85 。C	125			75	A
IT ((RMS)	RMS aktīvā strāva	180。pusviļņa 50Hz Viena puse dzesēta,Tc=85 。C	125			118	A
Idrm Irrm	Atkārtota maksimuma strāva	pie VDRM pie VRRM	125			30	mA
I _TSM	Pārsprieguma ieslēgšanās strāva	10ms pusēna viļņi VR=60%VRRM	125			1.6	kA
I ²T	I2t saplūšanas koordinācijai	10ms pusēna viļņi VR=60%VRRM	125			13	10³A ²s
V _uz	Sīkāko spiedienu		125			1.50	V
rt	Ieslēgšanās slīpuma pretestība		125			4.00	mΩ
V _TM	Maksimālais ieslēgšanās spriegums	ITM=225A	25			2.53	V
dv/dt	Kritiskā izslēgšanās sprieguma pieauguma ātrums	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Sadarbības stāvokļa strāvas kritiskā pieauguma ātrums	Vārsta avots 1.5A tr ≤0.5μs Atkārtota	125			200	A/μs
Tq	Cikla komutācijas izslēgšanās laiks	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
Tq	Cikla komutācijas izslēgšanās laiks	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
I _GT	Vārsta aktivizēšanas strāva	VA= 12V, IA= 1A	25	30		150	mA
V _GT	Vārsta aktivizēšanas spriegums			0.8		2.5	V
I _Augstums	Turēšanas strāva			20		200	mA
IL	Bloķēšanas strāva					1000	mA
V _GD	Neaktivizējošais vārsta spriegums	VDM= 67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Siltuma pretestība no savienojuma līdz korpusam	Vienpusēji dzesēts katram mikroshēmai				0.20	°C /W
Rth(c-h)	Siltuma pretestība korpuss uz siltuma izkliedētāju	Vienpusēji dzesēts katram mikroshēmai				0.04	°C /W
VISO	Izolācijas spriegums	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
FM	Termināla savienojuma griezes moments (M6)			4.5		6.0	N·m
FM	Montāžas griezes moments (M6)			4.5		6.0	N·m
TVj	Junkcijas temperatūra			-40		125	°C
TSTG	Uzglabāšanas temperatūra			-40		125	°C
Wt	Svars				320		G
Kontūra	216F3B