IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD300SGU120C2S

Vienības

VCES

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

VGES

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektora strāva @ TC=25℃

@ TC=80°C

440

300

A

ICM

Impulsu kolektora strāva tp=1ms

600

A

IF

Diodes nepārtraukta priekšējā strāva @ TC=80℃

300

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva tp=1ms

600

A

PD

Maksimālā jaudas izkliede @ Tj=150℃

2272

Platums

Tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

°C

TSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

VISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Pievienošanas griezes moments

Signāla termināla skrūve:M4

1.1 līdz 2.0

Jautājumu termināla skrūvs:M6

2.5 līdz 5.0

N.m.

Pievienošanas skrūvs:M6

3.0 līdz 5.0

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ((BR) CES

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

Tj=25°C

1200

V

ICES

Slēgtā daļa

Pašreiz

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

mA

IGES

Vārsta-emiteru noplūdes strāva

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

VGE (viņš)

Vārsta-emisijas sliekšņa spriegums

IC=3.0mA,VCE=VGE, Tj=25℃

4.4

5.2

6.0

V

VCE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

IC=300A,VGE=15V, Tj=25℃

3.10

3.55

V

IC=300A,VGE=15V, Tj=125℃

3.45

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, r G =3,3Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 °C

662

ns

T r

Atkāpšanās laiks

142

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

633

ns

T F

Nolieku laiks

117

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

19.7

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

22.4

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, r G =3,3Ω,

V ĢEN =±15V, T j =125 °C

660

ns

T r

Atkāpšanās laiks

143

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

665

ns

T F

Nolieku laiks

137

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

24.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

28.4

mJ

C 125 °C

ies

V CE =30V,f=1MHz,

V ĢEN =0V

25.3

MHz

C ejs

Izvades jauda

2.25

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.91

MHz

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

2550

A

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.18

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =300A

T j =25 °C

1.82

2.25

V

T j =125 °C

1.95

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F = 300A,

V r =600V,

r G =3,3Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

29.5

μC

T j =125 °C

42.3

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

210

A

T j =125 °C

272

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

16.4

mJ

T j =125 °C

22.7

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

0.055

K/W

r θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.092

K/W

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

0.035

K/W

Svars

Svars modulis

300

G