H50ZPU, Taisnojo diodi

I _T(AV)

900A

V _RRM

8100V 8300V

8500V

Sīkāku informāciju

Iemesls

Testēšanas apstākļi

Tj( °C )

vērtību

Drošības un drošības politika

min

Tips

max

IF(AV)

Vidējais priekšējais strāva

180° pusviļņa 50Hz divpusēji dzesēts

TC=85 °C

150

900

A

VRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

tp=10ms

150

8000

8500

V

IRRM

Atkārtota maksimuma strāva

pie VRRM tp=10ms

150

200

mA

IFSM

Pārsprieguma uz priekšu strāva

10ms pusviļņa. VR=0.6VRRM

150

10

kA

I2t

I2t saplūšanas koordinācijai

500

10³A ²s

VFO

Sīkāko spiedienu

150

1.00

V

rF

Priekšējā slīpuma pretestība

1.00

mΩ

VFM

Maksimālā priekšējā spriegums

IFM=1500A, F=24kN

25

2.60

V

Qrr

atgūstamās izmaksas

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

4000

μC

Rth(j-c)

Siltuma pretestība no savienojuma līdz korpusam

Pie 180 ° sinuss. divpusēji dzesēts Saspiešanas spēks 24kN

0.022

°C /W

Rth(c-h)

Siltuma pretestība korpuss uz siltuma izkliedētāju

0.005

FM

Montāžas spēks

19

26

KN

TVj

Junkcijas temperatūra

-40

150

°C

TSTG

Uzglabāšanas temperatūra

-40

160

°C

Wt

Svars

560

G

Kontūra

ZT50dT