Жылдам қалпына келтіру диоды

i_T(AV)

2570a)

v_РРМ

2200VАуысу2500V

2800В 3000В

Символ

сипаттама

Сынақ шарттары

Tj(℃)

құн

бірлік

минут

түрі

ең көп

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180°жартылай синусоидалық толқын 50Гц Екі жақты салқындатылған,

TC=85℃

150

Ауысу

Ауысу

2570

a)

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

150

2100

Ауысу

3000

v

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

150

Ауысу

Ауысу

200

ана

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын VR=0.6VRRM

150

Ауысу

Ауысу

23

ка

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

Ауысу

Ауысу

2645

A2s*103

VFO

Төменгі кернеу

Ауысу

150

Ауысу

Ауысу

1.20

v

рф

Алға қарай еңіс кедергісі

Ауысу

Ауысу

0.21

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=3000A, F=35kN

150

Ауысу

Ауысу

1.90

v

IRM

Кері Қалпына Келтіру Ағымы

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

Ауысу

150

Ауысу

300

Ауысу

a)

trr

Кері Қалпына Келтіру Уақыты

Ауысу

5

Ауысу

μs

Qrr

Алу ақысы

Ауысу

750

Ауысу

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

Қос жағы салқындатылғанАуысу40 кН тұйықтау күші

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.010

Ауысу

℃/W

Rth(c-h)

Термиялық кедергі корпусынан жылу алмастырғышқа

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.003

м-ге

Орнату күші

Ауысу

Ауысу

35

Ауысу

47

кн

TVj

Байланыс температурасы

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

150

◊c

ТСТГ

Сақталған температура

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

160

°C

Wt

салмағы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

1100

Ауысу

g

сызба

ZT73cT