Y75ZPA-B,Тұрғынсыз Дәнекерлеу Диоды

I T(AV)

18000А

V DRM V РРМ

200V 400V

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( ℃ )

мәні

бірлік

Минуты

ТҮР

Макс

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180° жартылай синусоидалық 50Hz

Екі жақты салқындатылған, TC=85 。Ц

175

18000

А

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

175

200

400

V

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

175

80

mА

IFSM

Сурж алға ағым

10мс жартылай синусоидалық толқын VR=0VRRM

175

135

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

90000

A2s*103

VFO

Төменгі кернеу

IFM=12000-24000A

175

0.75

V

радио жабайынан кейін

Алға қарай еңкейту кедергісі

0.017

mΩ

VFM

Максималды шыңдық күйдегі кернеу

IFM=6000A

25

1.00

V

Qrr

Алу ақысы

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

175

300

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

1800 синус, екі жақты салқындату

0.003

。C /W

Rth(c-h)

Термиялық кедергі корпусынан жылу алмастырғышқа

0.0015

Fm

Орнату күші

70

80

90

кН

TVj

Байланыс температурасы

-40

175

。Ц

ТСТГ

Сақталған температура

-40

175

。Ц

Wt

Салмақ

540

g

Нысан

Z68T