Жылдам қалпына келтіру диоды

Символ

сипаттама

Сынақ шарттары

Tj(°C)

құн

бірлік

минут

түрі

ең көп

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180◊жартылай синусоидалық толқын 50Гц Екі жақты салқындатылған,

TC=85°C

150

Ауысу

Ауысу

1876

a)

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

150

2100

Ауысу

3000

v

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

150

Ауысу

Ауысу

195

ана

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын VR=0.6VRRM

150

Ауысу

Ауысу

25

ка

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

Ауысу

Ауысу

3125

a)²s*10³

VFO

Төменгі кернеу

Ауысу

150

Ауысу

Ауысу

1.55

v

рф

Алға қарай еңіс кедергісі

Ауысу

Ауысу

0.29

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

ITM=3000A, F=35kN

25

Ауысу

Ауысу

3.20

v

IRM

Кері Қалпына Келтіру Ағымы

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR=100V

Ауысу

150

Ауысу

260

Ауысу

a)

trr

Кері Қалпына Келтіру Уақыты

Ауысу

10

Ауысу

μs

Qrr

Алу ақысы

Ауысу

1300

1500

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де°синус, екі жақты салқындатылған Қысып ұстайтын күш 35kN

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.012

Ауысу

°C /W

Rth(c-h)

Термиялық кедергі корпусынан жылу алмастырғышқа

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.003

м-ге

Орнату күші

Ауысу

Ауысу

30

Ауысу

40

кн

TVj

Байланыс температурасы

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

150

°C

ТСТГ

Сақталған температура

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

160

°C

Wt

салмағы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

880

Ауысу

g

сызба

ZT60cT