Дәнекерлеу диоды

iT(AV)Ауысу

1260a)

vDRMVРРМ

1200V    1400V

Tq

12 ~ 28 мкм

Ауысу

Символ

Ауысу

сипаттама

Ауысу

Сынақ шарттары

Tj(◊C)

құн

Ауысу

бірлік

минут

түрі

ең көп

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180◊жартылай синусоидалық 50Hz

Екі жақты салқындатылған,    TC=85◊c

175

Ауысу

Ауысу

5000

a)

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

175

200

Ауысу

400

v

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

175

Ауысу

Ауысу

50

ана

IFSM

Сурж алға ағым

10мс жартылай синусоидалық толқын VR=0VRRM

Ауысу

175

Ауысу

Ауысу

45

ка

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

Ауысу

Ауысу

10000

A2s*103

VFO

Төменгі кернеу

Ауысу

IFM=5000~15000A

Ауысу

IFM=5000A,F=30kN

Ауысу

175

Ауысу

Ауысу

0.80

v

рф

Алға қарай еңкейту кедергісі

Ауысу

Ауысу

0.040

mΩ

VFM

Максималды шыңдық күйдегі кернеу

25

Ауысу

Ауысу

1.05

v

trr

Кері Қалпына Келтіру Уақыты

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

175

Ауысу

Ауысу

4

μs

Qrr

Алу ақысы

175

Ауысу

Ауысу

200

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

1800 синусында, екі жақты салқындатылған, қысу күші 30.0kN

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.010

Ауысу

◊C /W

Rth(c-h)

Термиялық кедергі корпусынан жылу алмастырғышқа

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.005

м-ге

Орнату күші

Ауысу

Ауысу

20

30

40

кн

TVj

Байланыс температурасы

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

175

◊c

ТСТГ

Сақталған температура

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

175

◊c

Wt

салмағы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

150

Ауысу

g

сызба

ZT44T