Жылдам қалпына келтіру диоды

i_T(AV)

538a)

v_РРМ

4000VАуысу4200V

4500V   5000V

Ауысу

Символ

Ауысу

сипаттама

Ауысу

Сынақ шарттары

Tj(°C)

құн

Ауысу

бірлік

минут

түрі

ең көп

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180°жартылай синусоидалық толқын 50Гц Екі жақты салқындатылған,

TC=85°C

Ауысу

Ауысу

Ауысу

538

a)

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

150

4000

Ауысу

5000

v

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

150

Ауысу

Ауысу

50

ана

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын VR=0.6VRRM

150

Ауысу

Ауысу

7.5

ка

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

Ауысу

Ауысу

281

A2s*103

VFO

Төменгі кернеу

Ауысу

150

Ауысу

Ауысу

1.89

v

рф

Алға қарай еңіс кедергісі

Ауысу

Ауысу

1.18

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

ITM=1000A, F=15kN

25

Ауысу

Ауысу

3.80

v

IRM

Кері Қалпына Келтіру Ағымы

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

Ауысу

150

Ауысу

240

Ауысу

a)

trr

Кері Қалпына Келтіру Уақыты

Ауысу

10

Ауысу

μs

Qrr

Алу ақысы

Ауысу

720

900

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де°синус, екі жақты салқындатылған бекіту күші15кН

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.035

Ауысу

°C /W

Rth(c-h)

Термиялық кедергі корпусынан жылу алмастырғышқа

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.008

м-ге

Орнату күші

Ауысу

Ауысу

10

Ауысу

20

кн

TVj

Байланыс температурасы

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

150

°C

ТСТГ

Сақталған температура

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

160

°C

Wt

салмағы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

250

Ауысу

g

сызба

ZT33cT