Жылдам қалпына келтіру диоды

i_T(AV)

197a)

v_РРМ

4000VАуысу4200V

4500V   5000V

Ауысу

Символ

Ауысу

сипаттама

Ауысу

Сынақ шарттары

Tj(°C)

құн

Ауысу

бірлік

минут

түрі

ең көп

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180°жартылай синусоидалық толқын 50Гц Екі жақты салқындатылған,

TC=85°C

150

Ауысу

Ауысу

197

a)

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

150

4000

Ауысу

5000

v

IRRM

Қайталау шыңы ағым

V-де_РРМ

150

Ауысу

Ауысу

25

ана

IFSM

Сурж алға ағым

10мс жартылай синусоидалық толқын VR=0.6V_РРМ

150

Ауысу

Ауысу

2.7

ка

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

Ауысу

Ауысу

36.5

a)²s*10³

VFO

Төменгі кернеу

Ауысу

150

Ауысу

Ауысу

1.95

v

рф

Алға қарай еңкейту кедергісі

Ауысу

Ауысу

4.50

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

ITM=300A, F=5.0kN

25

Ауысу

Ауысу

3.80

v

IRM

Кері Қалпына Келтіру Ағымы

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

Ауысу

150

Ауысу

40

Ауысу

a)

trr

Кері Қалпына Келтіру Уақыты

Ауысу

10

Ауысу

μs

Qrr

Алу ақысы

Ауысу

80

100

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де°синус, екі жақты салқындатылған Қыспа күші 5.0kN

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.080

Ауысу

°C /W

Rth(c-h)

Термиялық кедергі корпусынан жылу алмастырғышқа

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.020

м-ге

Орнату күші

Ауысу

Ауысу

3.3

Ауысу

5.5

кн

TVj

Байланыс температурасы

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

150

°C

ТСТГ

Сақталған температура

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

160

°C

Wt

салмағы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

60

Ауысу

g

сызба

ZT19aT