Түзеткіш диод

i_T(AV)

5650a)

v_РРМ

4500VАуысу5000V

Ауысу

Символ

Ауысу

сипаттама

Ауысу

Сынақ шарттары

Tj(°C)

құн

Ауысу

бірлік

минут

түрі

ең көп

Ауысу

IF(AV)

Ауысу

Орташа алға қарай ағым

180°жартылай синусоидалық толқын 50Гц Екі жақты салқындатылған,

Ауысу

TC=85◊c

Ауысу

150

Ауысу

Ауысу

Ауысу

5650

Ауысу

a)

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

150

4300

Ауысу

5000

v

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

150

Ауысу

Ауысу

300

ана

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын VR=0.6VRRM

150

Ауысу

Ауысу

60

ка

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

Ауысу

Ауысу

18000

a)²s*10³

VFO

Төменгі кернеу

Ауысу

150

Ауысу

Ауысу

0.91

v

рф

Алға қарай еңіс кедергісі

Ауысу

Ауысу

0.10

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=5000A, F=108kN

25

Ауысу

Ауысу

2.00

v

Qrr

Алу ақысы

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

Ауысу

9000

Ауысу

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де°синус, екі жақты салқындатылған Қыспа күші 108kN

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.0050

Ауысу

°C/W

Rth(c-h)

Термиялық кедергі корпусынан жылу алмастырғышқа

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.0015

м-ге

Орнату күші

Ауысу

Ауысу

81

Ауысу

108

кн

TVj

Байланыс температурасы

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

150

°C

ТСТГ

Сақталған температура

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

160

°C

Wt

салмағы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

2000

Ауысу

g

сызба

ZT100cT