Түзеткіш диод

i_T(AV)

970a)

v_РРМ

5600VАуысу6000В

6500В

Ауысу

Символ

Ауысу

сипаттама

Ауысу

Сынақ шарттары

Tj(°C)

құн

Ауысу

бірлік

минут

түрі

ең көп

Ауысу

IF(AV)

Ауысу

Орташа алға қарай ағым

180°жартылай синусоидалық толқын 50Гц Екі жақты салқындатылған,

Ауысу

TC=100°C

Ауысу

150

Ауысу

Ауысу

Ауысу

970

Ауысу

a)

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

150

5600

Ауысу

6500

v

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

150

Ауысу

Ауысу

100

ана

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын VR=0.6VRRM

150

Ауысу

Ауысу

16.5

ка

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

Ауысу

Ауысу

1361

a)²s*10³

VFO

Төменгі кернеу

Ауысу

150

Ауысу

Ауысу

0.91

v

рф

Алға қарай еңіс кедергісі

Ауысу

Ауысу

0.60

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=1500A, F=26kN

25

Ауысу

Ауысу

2.15

v

Qrr

Алу ақысы

IFM=1000A, tp=4000µs,  di/dt=-20A/µs, VR=100V

Ауысу

Ауысу

3500

Ауысу

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де°синусоидалық, екі жақты салқындатылған Қыспа күші 26kN

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.022

Ауысу

°C/W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.005

м-ге

Орнату күші

Ауысу

Ауысу

19

Ауысу

26

кн

TVj

Байланыс температурасы

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

150

°C

ТСТГ

Сақталған температура

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

160

°C

Wt

салмағы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

440

Ауысу

g

сызба

ZT50cT/ ZT50dT