Жедел қалпына келтіру диод модульдері

VRRM

Түрі & Сызба

600В

800V

1000В

1200В

1400V

1600V

1800V

1800V

MZx75-06-216F3

MZx75-08-216F3

MZx75-10-216F3

MZx75-12-216F3

MZx75-14-216F3

MZx75-16-216F3

MZx75-18-216F3

MZ75-18-216F3G

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( °C )

мәні

бірлік

Минуты

Түрі

Макс

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180° жартылай синусоидалық 50Hz

Бір тараптан жылыту, TC=85 °C

140

75

А

IF(RMS)

RMS алға қарай ағым

118

А

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

140

20

mА

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын VR=0.6VRRM

140

2.0

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

20

10³А ²с

VFO

Төменгі кернеу

140

1.10

V

радио жабайынан кейін

Алға қарай еңіс кедергісі

3.00

м

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=225A

25

2.00

V

trr

Кері Қалпына Келтіру Уақыты

IFM=200A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V

140

3.0

μs

25

2.0

μs

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.310

°C /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.080

°C /W

Fm

Терминал байланыс моменті (M6)

4.5

6.0

Н·м

Монтаж моменті (M6)

4.5

6.0

Н·м

VISO

Изоляция кернеуі

50Гц,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

TVj

Байланыс температурасы

-40

140

°C

ТСТГ

Сақталған температура

-40

125

°C

Wt

Салмақ

320

g

Нысан

216F3