Жылдам өшірілетін тиристор модульдері

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( °C )

мәні

бірлік

Минуты

Түрі

Макс

IT(AV)

Орташа қосу күйіндегі ток

180。жартылай синусоидалы толқын 50Гц Бір жақты салқындатылған,Tc=85 °C

125

400

А

IT(RMS)

RMS қосу күйіндегі ток

628

А

Ірррр

Қайталау шыңы ағым

VDRM және VRRM кезінде

125

100

mА

I _ТМК

Пик қосу күйіндегі ток

10мс жартылай синусоидалы толқын VR=60%VRRM

125

8

kA

I ²t

Фузия координациясы үшін I2t

320

А ²s* 10 ³

V _дейін

Төменгі кернеу

125

0.83

V

rT

Қосу күйіндегі көлбеу кедергі

0.72

mΩ

V _ТМ

Пик қосу күйіндегі кернеу

ITM= 1200A

25

2.40

V

dv/dt

Өшіру күйіндегі кернеудің критикалық өсу жылдамдығы

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Ағымдағы ағымның жоғарылауының критикалық жылдамдығы

Қақпа көзі 1.5A

tr ≤0.5μs Қайталау

125

200

А/μс

Qrr

Алу ақысы

ITM=300A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR= 100V

125

650

μC

Tq

Схема бойынша коммутирленген өшіру уақыты

ITM=300A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

15

35

μs

IGT

Қақпа триггерлік тока

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mА

Vgt

Қақпа триггерлік кернеу

0.8

3.0

V

IH

Ұстап тұратын ток

10

200

mА

VGD

Триггерленбеген қақпа кернеуі

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.065

°C /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.023

°C /W

VISO

Изоляция кернеуі

50Гц,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

Fm

Терминал байланыс моменті(M10)

12.0

Н·м

Монтаж моменті (M6)

6.0

Н·м

TVj

Байланыс температурасы

-40

115

°C

ТСТГ

Сақталған температура

-40

115

°C

Wt

Салмақ

1500

g

Нысан

416F3