MFC55,Дәнекерлеу Тиристор түзеткіш модулі,Ауа салқындату

VRRM,VDRM

Түрі & Сызба

800V

1000В

1200В

1400V

1600V

1800V

MFC55-08-224H3

MFC55-10-224H3

MFC55-12-224H3

MFC55-14-224H3

MFC55-16-224H3

MFC55-18-224H3

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( ℃ )

мәні

бірлік

Минуты

ТҮР

Макс

IT(AV)

Орташа қосу күйіндегі ток

180° жартылай синусоидалық 50Hz

Бір тараптан жылыту, TC=85 ℃

125

55

А

IT(RMS)

RMS қосу күйіндегі ток

86

А

Ірррр

Қайталау шыңы ағым

VDRM және VRRM кезінде

125

15

mА

ITSM

Пик қосу күйіндегі ток

VR=60%VRRM,,t= 10ms жарты синус,

125

1.7

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

125

14.5

103A2s

VTO

Төменгі кернеу

125

0.75

V

rT

Қосу күйіндегі көлбеу кедергі

4.05

mΩ

VTM

Пик қосу күйіндегі кернеу

ITM= 170A

25

1.60

V

dv/dt

Өшіру күйіндегі кернеудің критикалық өсу жылдамдығы

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Ағымдағы ағымның жоғарылауының критикалық жылдамдығы

Қақпа көзі 1.5A

tr ≤0.5μs Қайталау

125

200

А/μс

IGT

Қақпа триггерлік тока

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mА

Vgt

Қақпа триггерлік кернеу

0.6

2.5

V

IH

Ұстап тұратын ток

10

250

mА

IL

Латчинг ток

1000

mА

VGD

Триггерленбеген қақпа кернеуі

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

1800 синуста. Бір тараптан жылыту арқылы чипке

0.470

℃ /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

1800 синуста. Бір тараптан жылыту арқылы чипке

0.150

℃ /W

VISO

Изоляция кернеуі

50Гц,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

Fm

Соңғы шың байланыс күші(M5)

2.5

4.0

Н·м

Монтаж моменті (M6)

4.5

6.0

Н·м

TVj

Байланыс температурасы

-40

125

℃

ТСТГ

Сақталған температура

-40

125

℃

Wt

Салмақ

100

g

Нысан

224H3