Тіркескен Діод модулі(Изоляциясыз Түрі)

VRRM

Түрі & Сызба

800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V

MDx200-08-213F4 MDx200-10-213F4 MDx200-12-213F4 MDx200-14-213F4 MDx200-16-213F4 MDx200-18-213F4

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj(。C)

мәні

бірлік

Минуты

Түрі

Макс

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180°жартылай синусоидалық 50Hz

Бір жақты салқындатылған, TC=100°C

150

200

А

IF(RMS)

RMS алға қарай ағым

314

А

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

150

20

mА

IFSM

Сурж алға ағым

VR=60%VRRM, t=10ms жартылай синус

150

6.2

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

192

103A2s

VFO

Төменгі кернеу

150

0.80

V

радио жабайынан кейін

Алға қарай еңіс кедергісі

0.96

мО

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=600A

25

1.50

V

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де°синус. Чиптің бір жағынан салқындатылған

0.20

°C/W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

180-де°синус. Чиптің бір жағынан салқындатылған

0.10

°C/W

Fm

Терминал байланыс моменті (M6)

4.5

6.0

Н·м

Монтаж моменті (M6)

4.5

6.0

Н·м

TVj

Байланыс температурасы

-40

150

°C

ТСТГ

Сақталған температура

-40

125

°C

Wt

Салмақ

280

g

Нысан

213F4