Дәнекерлеу диоды модульдері

VRRM

Түрі & Сызба

600В

800V

1000В

1200В

1400V

1600V

1800V

MDC 55-06-229H3

MDC 55-08-229H3

MDC 55-10-229H3

MDC 55-12-229H3

MDC 55-14-229H3

MDC 55-16-229H3

MDC 55-18-229H3

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( °C )

мәні

бірлік

Минуты

Түрі

Макс

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180° жартылай синусоидалық 50Hz

Бір жақты салқындатылған, TC=100 °C

150

55

А

IF(RMS)

RMS алға қарай ағым

150

86

А

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

150

8

mА

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын VR=0.6VRRM

150

1.8

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

16.2

10³А ²с

VFO

Төменгі кернеу

150

0.80

V

радио жабайынан кейін

Алға қарай еңіс кедергісі

3.74

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM= 170A

25

1.40

V

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.70

°C /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.20

°C /W

VISO

Изоляция кернеуі

50Hz, R.M.S,t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

V

Fm

Соңғы шың байланыс күші(M5)

2.5

4.0

Н·м

Монтаж моменті (M6)

4.5

6.0

Н·м

TVj

Байланыс температурасы

-40

150

°C

ТСТГ

Сақталған температура

-40

125

°C

Wt

Салмақ

100

g

Нысан

224H3