Дәнекерлеу диоды модульдері

VRRM

Түрі & Сызба

600В

800V

1000В

1200В

1400V

1600V

1800V

MDC 182-06-229H3

MDC 182-08-229H3

MDC 182-10-229H3

MDC 182-12-229H3

MDC 182-14-229H3

MDC 182-16-229H3

MDC 182-18-229H3

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( °C )

мәні

бірлік

Минуты

Түрі

Макс

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180° жартылай синусоидалық 50Hz

Бір жақты салқындатылған, TC=100 °C

150

182

А

IF (RMS)

RMS алға қарай ағым

150

286

А

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

150

12

mА

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын VR=0.6VRRM

150

4

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

84.1

A2s* 103

VFO

Төменгі кернеу

150

0.83

V

радио жабайынан кейін

Алға қарай еңіс кедергісі

1.2

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=550A

25

1.55

V

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.19

°C /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.08

°C /W

VISO

Изоляция кернеуі

50Гц,R.M.S,t= 1мин, Iiso:1мА(макс)

3000

V

Fm

Терминал байланыс моменті (M6)

4.5

6

Н·м

Монтаж моменті (M6)

4.5

6

Н·м

TVj

Байланыс температурасы

-40

150

°C

ТСТГ

Сақталған температура

-40

125

°C

Wt

Салмақ

165

g

Нысан

229H3