Дәнекерлеу диоды модульдері

VRRM

Түрі & Сызба

600В

800V

1000В

1200В

1400V

1600V

1800V

MDC 110-06-229H3

MDC 110-08-229H3

MDC 110-10-229H3

MDC 110-12-229H3

MDC 110-14-229H3

MDC 110-16-229H3

MDC 110-18-229H3

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( °C )

мәні

бірлік

Минуты

Түрі

Макс

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180° жартылай синусоидалық 50Hz

Бір жақты салқындатылған, TC=100 °C

150

110

А

IF(RMS)

RMS алға қарай ағым

173

А

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

150

8

mА

IFSM

Сурж алға ағым

VR=60%VRRM,,t= 10ms жарты синус,

150

2.0

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

20.0

10³А ²с

VFO

Төменгі кернеу

150

0.80

V

радио жабайынан кейін

Алға қарай еңіс кедергісі

1.74

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=330A

25

1.55

V

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

1800 синуста. Бір тараптан жылыту арқылы чипке

0.35

°C /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

1800 синуста. Бір тараптан жылыту арқылы чипке

0.20

°C /W

VISO

Изоляция кернеуі

50Гц,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

Fm

Соңғы шың байланыс күші(M5)

2.5

4

Н·м

Монтаж моменті (M6)

4.5

6

Н·м

TVj

Байланыс температурасы

-40

150

°C

ТСТГ

Сақталған температура

-40

125

°C

Wt

Салмақ

100

g

Нысан

224H3