IGBT Модулі 6500V

V_CES

6500 В

V_{(Солтүстік Қазақстан)}Тип.

3.0 В

I_ЦМакс.

750 А

I_{C ((RM)}Макс.

1500 А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

мәні

бірлік

V_CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

VGE = 0V, TC= 25 °C

6500

V

V_ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

TC= 25 °C

± 20

V

I_Ц

Жинақтаушы-эмиттер тогы

TC = 80 °C

750

А

I_C(PK)

Жинақтың ең жоғары тогы

tp=1ms

1500

А

p_Макс

Транзистордың қуаттылық шашырауы

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

11.7

кВт

I²t

Диод I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

460

kA2s

V_{тұтастығы}

Модуль бойынша оқшаулау кернеуі

(Негізгі тақтаға ортақ терминалдар), AC RMS, 1 мин, 50Гц, TC= 25 °C

10.2

кВ

Q_ДҚ

Бөлшек босату - модуль бойынша

IEC1287. V1=6900В,V2=5100В,50Гц РМС

10

ПК

Rth ((J-C) IGBT

Жылу кедергісі - IGBT

8.5

К / кВт

Rth ((J-C) диоды

Жылу кедергісі - диод

19.0

К / кВт

Rth ((C-H) IGBT

Жылу кедергісі -

корпус және жылу сорғышы (IGBT)

орнату дүйіршін 5Nm,

монтаждау майларымен 1W/m·°C

9

К / кВт

Rth ((C-H) диоды

Жылу кедергісі -

жылу сорғышы (диод) корпусы

орнату дүйіршін 5Nm,

монтаждау майларымен 1W/m·°C

18

К / кВт

Тележұмыс

Жұмыс қиылысының температурасы

(IGBT)

-40

125

°C

(диод)

-40

125

°C

ТСТГ

储存温度

Сақтау температурасы

-40

125

°C

м

Шрубтің қозғалыс моменті

Орнату – M6

5

Нм

Электр байланыстары – M4

2

Нм

Электр байланыстары – M8

10

Нм

符号Символ

Параметр атауыПараметр

条件

Сынақ шарттары

ең кішігірім мәніМин.

Типтік мәнТип.

ең жоғары мәнМакс.

Бірлікбірлік

ICES

集电极截止电流 集电极截止电流 集电极 截止电流 топтастырылған электр тогы

Коллектордың тоқтату ағымы

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mА

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

90

mА

ИГЭС

极漏电流

Қақпаның ағып кету тогы

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

极-发射极值电压Қақпаның шекті кернеуі

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat)(*1)

集电极-射极和电压

Коллектор-эмиттер қанықтыру

Кернеу

VGE = 15В, IC = 750А

3.0

3.4

V

VGE = 15В, IC = 750А, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

V

IF

二极管 тура ағып тұрған электр ағыныДиоданың алға ағымы

Тұрақты тағам

750

А

МКБЖ

二极管正向重复峰值电流Диодтың шығыс максималды тогы

tp = 1ms

1500

А

VF(*1)

二极管 тура бағыттағы электр қысымы

Диоданың алға кернеуі

IF = 750A, VGE = 0

2.55

2.90

V

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.90

3.30

V

ISC

短路电流

Қысқа тоқ

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

2800

А

Қалғандары

输入电容

Кіріс сыйымдылығы

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

123

НФ

Бас басқарма

极电荷

Қақпалық төлем

±15V

9.4

μC

Крес

Кері бағыттағы электр беріліс қуаты

Кері байланыс сыйымдылығы

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

2.6

НФ

ЛМ

模块 электр сезгіштігі

Модуль индуктивтілігі

10

nH

RINT

Ішкі кедергі

Ішкі транзистор кедергісі

90

mΩ

td_{(сөндіру)}

关断延迟时间

Сөндіру кешігу уақыты

IC = 750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

3060

н

Tvj= 125 °C

3090

t_F

төмендеу уақытыКүз мезгілі

Tvj= 25 °C

2390

н

МЖ

н

н

МЖ

μC

Tvj= 125 °C

2980

E_{Ашылған}

Өшіру шығыны

Өшіру энергиясының жоғалуы

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

td_(қосу)

开通延迟时间

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

IC = 750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

tr

көтерілу уақытыКүтерілу уақыты

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

E_ҚОСУЛЫ

开通损耗

Қосу энергиясының жоғалуы

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Qrr

二极管 кері қайтару электр жүктемесіДиод кері

Алу ақысы

IF = 750A,

VCE = 3600В,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

Irr

二极管 кері қайтару электр тогыДиод кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Tvj= 25 °C

1310

А

МЖ

Tvj= 125 °C

1460

Ерек

二极管 кері қалпына келтіру шығыныДиод кері

қалпына келтіру энергиясы

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080