YMIF750-65,IGBT модулі,Бірлік қосқыш IGBT,CRRC

V _CES

6500 В

V _{(Солтүстік Қазақстан)} Тип.

3.0 В

I _Ц Макс.

750 А

I _{C ((RM)} Макс.

1500 А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мәні

Бірлік

V _CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

VGE = 0V, TC= 25 °C

6500

V

V _ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

TC= 25 °C

± 20

V

I _Ц

Жинақтаушы-эмиттер тогы

TC = 80 °C

750

А

I _C(PK)

Жинақтың ең жоғары тогы

tp=1ms

1500

А

P _макс

Транзистордың қуаттылық шашырауы

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

11.7

кВт

I ²t

Диод I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

460

kA2s

V _{тұтастығы}

Модуль бойынша оқшаулау кернеуі

(Негізгі тақтаға ортақ терминалдар), AC RMS, 1 мин, 50Гц, TC= 25 °C

10.2

кВ

Q _ДҚ

Бөлшек босату - модуль бойынша

IEC1287. V1=6900В,V2=5100В,50Гц РМС

10

пК

Rth ((J-C) IGBT

Жылу кедергісі - IGBT

8.5

К / кВт

Rth ((J-C) диоды

Жылу кедергісі - диод

19.0

К / кВт

Rth ((C-H) IGBT

Жылу кедергісі -

корпус және жылу сорғышы (IGBT)

Орнату дүйіршін 5Nm,

монтаждау майларымен 1W/m·°C

9

К / кВт

Rth ((C-H) диоды

Жылу кедергісі -

жылу сорғышы (диод) корпусы

Орнату дүйіршін 5Nm,

монтаждау майларымен 1W/m·°C

18

К / кВт

Тележұмыс

Жұмыс қиылысының температурасы

(IGBT)

-40

125

°C

(диод)

-40

125

°C

ТСТГ

储存温度

Сақтау температурасы

-40

125

°C

М

Шрубтің қозғалыс моменті

Орнату – M6

5

Нм

Электр байланыстары – M4

2

Нм

Электр байланыстары – M8

10

Нм

符号 Символ

параметр атауы Параметр

条件

Сынақ шарттары

ең кішігірім мәні Мин.

типтік мән Тип.

ең жоғары мән Макс.

бірлік Бірлік

ICES

集电极截止电流 集电极截止电流 集电极 截止电流 топтастырылған электр тогы

Коллектордың тоқтату ағымы

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mА

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

90

mА

ИГЭС

极漏电流

Қақпаның ағып кету тогы

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

极 -发射极值电压 Қақпаның шекті кернеуі

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat)(*1)

集电极 -射极和电压

Коллектор-эмиттер қанықтыру

кернеу

VGE = 15В, IC = 750А

3.0

3.4

V

VGE = 15В, IC = 750А, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

V

IF

二极管 тура ағып тұрған электр ағыны Диоданың алға ағымы

Тұрақты тағам

750

А

МКБЖ

二极管正向重复峰值电流 Диодтың шығыс максималды тогы

tp = 1ms

1500

А

VF(*1)

二极管 тура бағыттағы электр қысымы

Диоданың алға кернеуі

IF = 750A, VGE = 0

2.55

2.90

V

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.90

3.30

V

ISC

短路电流

Қысқа тоқ

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

2800

А

Қалғандары

输入电容

Кіріс сыйымдылығы

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

123

нФ

Бас басқарма

极电荷

Қақпалық төлем

±15V

9.4

μC

Крес

кері бағыттағы электр беріліс қуаты

Кері байланыс сыйымдылығы

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

2.6

нФ

ЛМ

模块 электр сезгіштігі

Модуль индуктивтілігі

10

nH

RINT

ішкі кедергі

Ішкі транзистор кедергісі

90

mΩ

td _{(сөндіру)}

关断延迟时间

Сөндіру кешігу уақыты

IC = 750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

3060

н

Tvj= 125 °C

3090

t _f

төмендеу уақыты Күз мезгілі

Tvj= 25 °C

2390

н

мЖ

н

н

мЖ

μC

Tvj= 125 °C

2980

E _{Ашылған}

өшіру шығыны

Өшіру энергиясының жоғалуы

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

td _(қосу)

开通延迟时间

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

IC = 750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

tr

көтерілу уақыты Күтерілу уақыты

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

E _ҚОСУЛЫ

开通损耗

Қосу энергиясының жоғалуы

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Qrr

二极管 кері қайтару электр жүктемесі Диод кері

алу ақысы

IF = 750A,

VCE = 3600В,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

Irr

二极管 кері қайтару электр тогы Диод кері

қайта қалпына келтіру тогы

Tvj= 25 °C

1310

А

мЖ

Tvj= 125 °C

1460

Ерек

二极管 кері қалпына келтіру шығыны Диод кері

қалпына келтіру энергиясы

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080