IGBT Модулі 6500V

Параметр

Символ

Шарттары

Минуты

Макс

бірлік

Жинақтаушы-шығарғыш Кернеу

VCES

VГЭ=0В,Тvj ≥ 25°C

6500

V

Бірқалыпты коллектордың тогы

IЦ

tЦ =80°C

250

А

Жинақтың ең жоғары тогы

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

500

А

Қақпа-эмиттер кернеуі

VГЭС

-20

20

V

Жалпы қуат Диссипация

ptot

tЦ=25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

DC алға ағым

IF

250

А

Шың алға Жүк

IҚРМ

tp=1ms

500

А

IGBT қысқа СХЕМА SOA

tпск

VCC =4400V,VCEMCHIP ≤ 6500V VГЭ≤ 15V,Tvj≤ 125°С

10

μс

Изоляция кернеуі

Vтұтастығы

1 минут, f=50 Гц

10200

V

Байланыс температурасы

tvj

125

°C

Бүйірдегі жұмыс температурасы

tvj(op)

-50

125

°C

Корпус температурасы

tЦ

-50

125

°C

Сақтау температурасы

tЖТГ

-50

125

°C

Орнату моменттері

мс

4

6

Нм

мT1

8

10

Параметр

Символ

Шарттары

Минуты

Түрі

Макс

бірлік

Жинақтаушы (- эмиттер) бұзылу кернеуі

V(BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

Жинақтаушы-шығарғыш Сатурация Кернеу

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

Жинақтаушы тоқтату тогы

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

mА

Tvj=125°C

50

mА

Gate сұйынды ток

ИГЭС

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

nA

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

V ЖЕ (th)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

td(on)

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=±15V,

Ls=280nH,

感性负载 (сезімтал жүктеме)

TVj = 25 °C

1

μ с

TVj = 125 °C

0.94

Көтерілу Уақыт

tr

TVj = 25 °C

0.76

TVj = 125 °C

0.81

Сөндіру кешігу уақыты

td(оң)

TVj = 25 °C

3.9

μ с

TVj = 125 °C

4.2

Күз мезгілі

tF

TVj = 25 °C

2.2

TVj = 125 °C

2.8

Қосылу ауысу жоғалту энергиясы

Эон

TVj = 25 °C

3081

МЖ

TVj = 125 °C

3900

Оқиғаның орнын ауыстыру жоғалту энергиясы

EАшылған

TVj = 25 °C

2100

МЖ

TVj = 125 °C

1236

Кескін схема тогы

ISC

tpsc ≤ 10 мкм s, V ГЭ

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

TVj = 125 °C

940

А