IGBT Модулі 3300V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

мәні

бірлік

ККЕЖ

Жинағыш-эмиттер кернеуі

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

V

VGES

Қақпа-эмиттер кернеуі

TC= 25 °C

± 20

V

IC

Жинақтаушы-эмиттер тогы

TC = 100 °C

250

А

IC(PK)

Жинақтың ең жоғары тогы

tp=1ms

500

А

Pmax

Транзистордың қуаттылық шашырауы

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

кВт

I2t

Диод I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Визоль

Модуль бойынша оқшаулау кернеуі

(Негізгі тақтаға ортақ терминалдар), AC RMS, 1 мин, 50Гц, TC= 25 °C

6

кВ

QPD

Бөлшек босату - модуль бойынша

IEC1287. V1=6900В,V2=5100В,50Гц РМС

10

ПК

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

ICES

Коллектордың тоқтату ағымы

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mА

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mА

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mА

ИГЭС

Қақпаның ағып кету тогы

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Қақпаның шекті кернеуі

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat)(*1)

Коллектор-эмиттер қанықтыру Кернеу

VGE = 15В, IC = 250А

2.50

2.80

V

VGE = 15В, IC = 250А, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE = 15В, IC = 250А, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Диоданың алға ағымы

Тұрақты тағам

250

А

МКБЖ

Диодтың шығыс максималды тогы

tp = 1ms

500

А

VF(*1)

Диоданың алға кернеуі

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

ISC

Қысқа тоқ

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

А

ICES

Коллектордың тоқтату ағымы

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mА

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mА

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mА

ИГЭС

Қақпаның ағып кету тогы

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Қақпаның шекті кернеуі

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat)(*1)

Коллектор-эмиттер қанықтыру

Кернеу

VGE = 15В, IC = 250А

2.50

2.80

V

VGE = 15В, IC = 250А, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE = 15В, IC = 250А, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Диоданың алға ағымы

Тұрақты тағам

250

А

МКБЖ

Диодтың шығыс максималды тогы

tp = 1ms

500

А

VF(*1)

Диоданың алға кернеуі

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

ISC

Қысқа тоқ

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

А

td(оң)

Сөндіру кешігу уақыты

IЦ =250А,

VCE = 1800В, VГЭ = ±15В, RG ((OFF) = 9,0Ω , ЦГЭ = 56nF,

Lс = 150nH,

tvj= 25 °C

1480

н

tvj= 125 °C

1550

tvj= 150 °C

1570

tF

Күз мезгілі

tvj= 25 °C

1280

н

tvj= 125 °C

1920

tvj= 150 °C

2120

EАшылған

Өшіру энергиясының жоғалуы

tvj= 25 °C

300

МЖ

tvj= 125 °C

380

tvj= 150 °C

400

td(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

IЦ =250А,

VCE = 1800В, VГЭ = ±15В, RG(ON) = 6,0Ω , ЦГЭ = 56nF,

Lс = 150nH,

tvj= 25 °C

640

н

tvj= 125 °C

650

tvj= 150 °C

650

tR

Күтерілу уақыты

tvj= 25 °C

220

н

tvj= 125 °C

235

tvj= 150 °C

238

EҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру энергиясы Жоғалту

tvj= 25 °C

395

МЖ

tvj= 125 °C

510

tvj= 150 °C

565

Qрр

Диод Кері

Алу ақысы

IF =250А,

VCE = 1800В,

- dIF/dt = 1200А/бұрыш, (tvj= 125 °C).

tvj= 25 °C

190

μC

tvj= 125 °C

295

tvj= 150 °C

335

Iрр

Диод Кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tvj= 25 °C

185

А

tvj= 125 °C

210

tvj= 150 °C

216

Eрек

Диод Кері

қалпына келтіру энергиясы

tvj= 25 °C

223

МЖ

tvj= 125 °C

360

tvj= 150 °C

410