YMIBH250-33, IGBT модуль, Жарты мост IGBT, CRRC

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мәні

Бірлік

ККЕЖ

Жинағыш-эмиттер кернеуі

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

V

VGES

Қақпа-эмиттер кернеуі

TC= 25 °C

± 20

V

IC

Жинақтаушы-эмиттер тогы

TC = 100 °C

250

А

IC(PK)

Жинақтың ең жоғары тогы

tp=1ms

500

А

Pmax

Транзистордың қуаттылық шашырауы

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

кВт

I2t

Диод I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Визоль

Модуль бойынша оқшаулау кернеуі

(Негізгі тақтаға ортақ терминалдар), AC RMS, 1 мин, 50Гц, TC= 25 °C

6

кВ

QPD

Бөлшек босату - модуль бойынша

IEC1287. V1=6900В,V2=5100В,50Гц РМС

10

пК

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

ICES

Коллектордың тоқтату ағымы

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mА

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mА

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mА

ИГЭС

Қақпаның ағып кету тогы

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Қақпаның шекті кернеуі

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat)(*1)

Коллектор-эмиттер қанықтыру кернеу

VGE = 15В, IC = 250А

2.50

2.80

V

VGE = 15В, IC = 250А, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE = 15В, IC = 250А, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Диоданың алға ағымы

Тұрақты тағам

250

А

МКБЖ

Диодтың шығыс максималды тогы

tp = 1ms

500

А

VF(*1)

Диоданың алға кернеуі

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

ISC

Қысқа тоқ

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

А

ICES

Коллектордың тоқтату ағымы

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mА

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mА

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mА

ИГЭС

Қақпаның ағып кету тогы

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Қақпаның шекті кернеуі

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat)(*1)

Коллектор-эмиттер қанықтыру

кернеу

VGE = 15В, IC = 250А

2.50

2.80

V

VGE = 15В, IC = 250А, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE = 15В, IC = 250А, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Диоданың алға ағымы

Тұрақты тағам

250

А

МКБЖ

Диодтың шығыс максималды тогы

tp = 1ms

500

А

VF(*1)

Диоданың алға кернеуі

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

ISC

Қысқа тоқ

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

А

t d(оң)

Сөндіру кешігу уақыты

I Ц =250А,

V CE = 1800В, V ГЭ = ± 15В, R G ((OFF) = 9,0Ω , Ц ГЭ = 56nF,

L С = 150nH,

T vj = 25 °C

1480

н

T vj = 125 °C

1550

T vj = 150 °C

1570

t f

Күз мезгілі

T vj = 25 °C

1280

н

T vj = 125 °C

1920

T vj = 150 °C

2120

E Ашылған

Өшіру энергиясының жоғалуы

T vj = 25 °C

300

мЖ

T vj = 125 °C

380

T vj = 150 °C

400

t d(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

I Ц =250А,

V CE = 1800В, V ГЭ = ± 15В, R G(ON) = 6,0Ω , Ц ГЭ = 56nF,

L С = 150nH,

T vj = 25 °C

640

н

T vj = 125 °C

650

T vj = 150 °C

650

t r

Күтерілу уақыты

T vj = 25 °C

220

н

T vj = 125 °C

235

T vj = 150 °C

238

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру энергиясы жоғалту

T vj = 25 °C

395

мЖ

T vj = 125 °C

510

T vj = 150 °C

565

Q рр

Диод кері

алу ақысы

I F =250А,

V CE = 1800В,

- d i F /dt = 1200А/бұрыш, (T vj = 125 °C).

T vj = 25 °C

190

μC

T vj = 125 °C

295

T vj = 150 °C

335

I рр

Диод кері

қайта қалпына келтіру тогы

T vj = 25 °C

185

А

T vj = 125 °C

210

T vj = 150 °C

216

E рек

Диод кері

қалпына келтіру энергиясы

T vj = 25 °C

223

мЖ

T vj = 125 °C

360

T vj = 150 °C

410