IGBT Модулі 1700V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц = 100O Ц

706

450

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

900

А

p D

Максималды қуаттылық =175 O Ц

2542

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

450

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

900

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.85

2.20

V

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

2.25

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 18.0mA,V CE =V ГЭ , T ж =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.67

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

54.2

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.32

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

4.24

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =450А, R g =3.3Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

179

н

t R

Күтерілу уақыты

105

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

680

н

t F

Күз мезгілі

375

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

116

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

113

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =450А, R g =3.3Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

208

н

t R

Күтерілу уақыты

120

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

784

н

t F

Күз мезгілі

613

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

152

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

171

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =450А, R g =3.3Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

208

н

t R

Күтерілу уақыты

120

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

800

н

t F

Күз мезгілі

720

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

167

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

179

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 1000В, V КЕМ ≤1700В

1800

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.80

2.25

V

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.95

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.90

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =450А,

-di/dt=4580A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц

105

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

198

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

69.0

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =450А,

-di/dt=4580A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 125O Ц

187

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

578

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

129

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =450А,

-di/dt=4580A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 150O Ц

209

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

585

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

150

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

ΔR/R

Ауыспалы туралы R 100

t Ц = 100 O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

1.10

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.059

0.083

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.031

0.043

0.009

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

350

g