IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

ККЕЖ

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

VGES

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор тогы @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

А

ICM

Импульсны коллектор токы tp=1ms

800

А

ДҚ

Максималды қуат жоғалту @ T =150oC

2659

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

400

А

ifm

Діод максималды жауапкерші токы tp=1ms

800

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

Tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

oC

Тжоп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

oC

ТСТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

oC

VISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

2.90

3.35

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

3.60

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 16,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25 O Ц

4.5

5.5

6.5

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.6

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

26.0

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.70

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

4.2

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g =2.2Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

76

н

t R

Күтерілу уақыты

57

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

529

н

t F

Күз мезгілі

73

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

5.2

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

23.2

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g =2.2Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

81

н

t R

Күтерілу уақыты

62

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

567

н

t F

Күз мезгілі

81

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

9.9

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

31.7

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =125 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

2800

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.96

2.31

V

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.98

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц

24.9

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

317

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

16.0

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 125O Ц

35.5

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

391

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

21.4

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке

0.18

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.047

0.100

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (pe r Диод)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.015

0.031

0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g