GD400HFU120C2S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

GD400HFU120C2S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц = 25℃

@ Т Ц =80 ℃

660

400

А

I CM (1)

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

А

I F

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

400

А

I Fm (1)

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасы жалға алу

800

А

P D

Максималды қуаттылық ж = 150℃

2660

W

T SC

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ T ж =125 ℃

10

μs

T ж

Жоғарғы түйісу температурасы

150

℃

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

℃

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

V

Қою моментi

Қуат терминалының бұрандасы:M6

2,5 -ге дейін 5.0

Н.М

Орнату Шраф:M6

3.0-ден 6.0

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

T ж =25 ℃

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 ℃

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 ℃

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

Кернеу

I Ц =4,0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 ℃

4.4

4.9

6.0

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, T ж =25 ℃

3.10

3.60

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, T ж = 125℃

3.45

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R G =2.2Ω,V ГЭ = ± 15 V, T ж =25 ℃

680

н

t r

Күтерілу уақыты

142

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

638

н

t f

Күз мезгілі

99

н

E қОСУЛЫ

Қосылу ауысу

Жоғалту

19.0

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

32.5

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R G =2.2Ω,V ГЭ = ± 15 V, T ж = 125℃

690

н

t r

Күтерілу уақыты

146

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

669

н

t f

Күз мезгілі

108

н

E қОСУЛЫ

Қосылу ауысу

Жоғалту

26.1

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

36.7

мЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =30В,f=1МГц,

V ГЭ =0В

33.7

нФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

2.99

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.21

нФ

I SC

SC деректері

T P ≤ 10 мс,В ГЭ =15 V, T ж =25 ℃ ,

V CC =600В, V КЕМ ≤ 1200В

2600

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі қайырмақ

0.5

ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

18

nH

R CC + EE ’

Модульдің қорғасын кедергісі c) Терминалдан чипке

T Ц =25 ℃

0.32

м ω

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =400А

T ж =25 ℃

1.95

2.35

V

T ж = 125℃

1.85

Q r

Алынған айыппұл

I F =400А,

V R =600 V,

di/dt=-2850A/μs, V ГЭ =- 15В

T ж =25 ℃

24.1

μC

T ж = 125℃

44.3

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

T ж =25 ℃

220

А

T ж = 125℃

295

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

T ж =25 ℃

13.9

мЖ

T ж = 125℃

24.8

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қалыпты қосылымдар (ГИ бойынша) БТ)

0.047

К/W

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) Йод)

0.096

К/W

R θ КС

Қалқадан-суға құюға арналған май (ауыртпалық)

0.035

К/W

G

Салмағы Модуль

350

g