IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD400HFU120C2S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц = 25°C

@ Т Ц =80 °C

660

400

А

I CM (1)

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

А

I F

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

400

А

I Fm (1)

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасы жалға алу

800

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 150°C

2660

W

t SC

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ T ж =125 °C

10

μs

t ж

Жоғарғы түйісу температурасы

150

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

V

Қою моментi

Қуат терминалының бұрандасы:M6

2,5 -ге дейін 5.0

Н.М

Орнату Шраф:M6

3.0-ден 6.0

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

Кернеу

I Ц =4,0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C

4.4

4.9

6.0

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =25 °C

3.10

3.60

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж = 125°C

3.45

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g =2.2Ω,V ГЭ = ± 15 V, t ж =25 °C

680

н

t R

Күтерілу уақыты

142

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

638

н

t F

Күз мезгілі

99

н

E ҚОСУЛЫ

Қосылу ауысу

Жоғалту

19.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

32.5

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g =2.2Ω,V ГЭ = ± 15 V, t ж = 125°C

690

н

t R

Күтерілу уақыты

146

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

669

н

t F

Күз мезгілі

108

н

E ҚОСУЛЫ

Қосылу ауысу

Жоғалту

26.1

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

36.7

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =30В,f=1МГц,

V ГЭ =0В

33.7

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

2.99

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.21

НФ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мс,В ГЭ =15 V, t ж =25 °C ,

V CC =600В, V КЕМ ≤ 1200В

2600

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі қайырмақ

0.5

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

18

nH

R CC + EE ’

Модульдің қорғасын кедергісі c) Терминалдан чипке

t Ц =25 °C

0.32

м Ω

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =400А

t ж =25 °C

1.95

2.35

V

t ж = 125°C

1.85

Q R

Алынған айыппұл

I F =400А,

V R =600 V,

di/dt=-2850A/μs, V ГЭ =- 15В

t ж =25 °C

24.1

μC

t ж = 125°C

44.3

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

220

А

t ж = 125°C

295

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

13.9

МЖ

t ж = 125°C

24.8

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қалыпты қосылымдар (ГИ бойынша) БТ)

0.047

К/W

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.096

К/W

R θ КС

Қалқадан-суға құюға арналған май (ауыртпалық)

0.035

К/W

g

салмағы Модуль

350

g