IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =100 O Ц

769

400

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

А

p D

Максималды қуаттылық vj = 1 75O Ц

2272

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t vj =25 O Ц

1.85

2.30

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t vj =125 O Ц

2.25

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t vj =150 O Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =16.00 mА ,V CE = V ГЭ ,t vj =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t vj =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t vj =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.5

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

43.2

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.18

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

3.36

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g =2Ω, L с =45 nH ,

V ГЭ =±15В, t vj =25 O Ц

288

н

t R

Күтерілу уақыты

72

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

314

н

t F

Күз мезгілі

55

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

43.6

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

12.4

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g =2Ω, L с =45 nH ,

V ГЭ =±15В, t vj =125 O Ц

291

н

t R

Күтерілу уақыты

76

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

351

н

t F

Күз мезгілі

88

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

57.6

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

17.1

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g =2Ω, L с =45 nH ,

V ГЭ =±15В, t vj =150 O Ц

293

н

t R

Күтерілу уақыты

78

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

365

н

t F

Күз мезгілі

92

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

62.8

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

18.6

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t vj =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1500

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т vj =2 5O Ц

1.85

2.30

V

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т vj =125 O Ц

1.90

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т vj =150 O Ц

1.95

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=4130A/μs,V ГЭ =- 15В, L с =45 nH ,t vj =25 O Ц

38.8

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

252

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

11.2

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V R = 600В,I F =400А,

-ди /dt = 3860A/μs, V ГЭ =- 15В, L с =45 nH ,t vj =125 O Ц

61.9

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

255

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

18.7

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V R = 600В,I F =400А,

-ди /dt =3720A/μs, V ГЭ =- 15В, L с =45 nH ,t vj =150 O Ц

75.9

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

257

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

20.5

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.066

0.115

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (pe r Диод)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.031

0.055

0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g