IGBT Модулі 4500V

Параметр

Символ

Шарттары

мәні

бірлік

Жинақтаушы ‐Эмиттер Кернеу

V CES

V ГЭ =0В, t vj =25 ° Ц

4500

V

Тұрақты тағам Жинақтаушы Жүк

I Ц

t Ц =100 ° С, t vj =125 ° Ц

3000

А

Шұңқыры Жинақтаушы Жүк

I CM

t p = 1 мс

6000

А

Gate ‐Эмиттер Кернеу

V ГЭС

± 20

V

Жалпы Күш Диссипация

p tot

t Ц =25 ° С, t vj =125 ° Ц

31200

W

Тұрақты тағам Алға Жүк

I F

3000

А

Шұңқыры Алға Жүк

I ҚРМ

t p = 1 мс

6000

А

Сурж Жүк

I FSM

V R =0В, t vj =125 ° С,

t p =10 мс ,жарты ‐синусоидалық

21000

А

IGBT Кескін СХЕМА SOA

t пск

V CC = 3400В, V КЕМ ЧИП ≤4500V V ГЭ ≤15V, t vj ≤125 ° Ц

10

μs

Максимум Бөлшеуіш Температура

t vj (Макс )

125

°C

Бөлшеуіш Жұмыс істеп тұр Температура

t vj (ішкі )

‐40~125

°C

Қорытқа Температура

t Ц

‐40~125

°C

Сақтау Температура

t ЖТГ

‐40~70

°C

Орнату күш

F м

90~130

кН

Параметр

Символ

Шарттары

мәні

бірлік

Минуты .

Тип.

Макс .

Алға кернеу

V F

I F =3000A

t vj =25 °C

2.60

V

t vj =125 °C

2.85

V

Кері Қайта қалпына келтіру тогы

I рр

ЕГ=3000А, ВR=2800В,

diF/dt=‐2500A/μs, VGE=15V,

RGon=1.5Ω,

LS=140nH,

Индуктивті жүктеме

t vj =25 °C

1690

А

t vj =125 °C

2750

А

Кері Алу ақысы

Q рр

t vj =25 °C

3000

uC

t vj =125 °C

3950

uC

Кері қалпына келтіру уақыты

t рр

t vj =25 °C

1.80

біз

t vj =125 °C

2.20

біз

Кері Қалпына келтіру энергия Жоғалту

E рек

t vj =25 °C

4000

МЖ

t vj =125 °C

6300

МЖ