IDG75X12T2, IGBT дискрет, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O C @ T Ц =100 O Ц

150

75

А

I CM

Импульстік Жинақтаушы Жүк t p шектеулі Қатысушылар t vjmax

225

А

p D

Максималды қуаттылық vj =175 O Ц

852

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

75

А

I Fm

Импульстік Жинақтаушы Жүк t p шектеулі Қатысушылар t vjmax

225

А

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

t vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-55-ден +150-ге дейін

O Ц

t с

Дәнекерлеу температурасы: 1,6 мм үшін 10 секунд

260

O Ц

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =75А,В ГЭ =15В, t vj =25 O Ц

1.75

2.20

V

I Ц =75А,В ГЭ =15В, t vj =150 O Ц

2.10

I Ц =75А,В ГЭ =15В, t vj =175 O Ц

2.20

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =3,00 mА ,V CE = V ГЭ , t vj =25 O Ц

5.0

5.8

6.5

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t vj =25 O Ц

250

μA

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t vj =25 O Ц

100

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

2.0

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

6.58

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

0.40

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.19

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

0.49

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =75А, R g =4.7Ω,

V ГЭ =±15В, Ls=40nH,

t vj =25 O Ц

41

н

t R

Күтерілу уақыты

135

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

87

н

t F

Күз мезгілі

255

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

12.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

3.6

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =75А, R g =4.7Ω,

V ГЭ =±15В, Ls=40nH,

t vj =150 O Ц

46

н

t R

Күтерілу уақыты

140

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

164

н

t F

Күз мезгілі

354

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.6

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.3

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =75А, R g =4.7Ω,

V ГЭ =±15В, Ls=40nH,

t vj =175 O Ц

46

н

t R

Күтерілу уақыты

140

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

167

н

t F

Күз мезгілі

372

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

18.7

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.7

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t vj =175 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

300

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =75А,В ГЭ =0В,Т vj =2 5O Ц

1.75

2.20

V

I F =75А,В ГЭ =0В,Т vj =15 0O Ц

1.75

I F =75А,В ГЭ =0В,Т vj =17 5O Ц

1.75

trr

Диод кері қалпына келтіру уақыты

V R = 600В,I F =75А,

-di/dt=370A/μs,V ГЭ =-15 V, Ls=40nH,

t vj =25 O Ц

267

н

Q R

Алынған айыппұл

4.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

22

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

1.1

МЖ

trr

Диод кері қалпына келтіру уақыты

V R = 600В,I F =75А,

-di/dt=340A/μs,V ГЭ =-15 V, Ls=40nH,

t vj =150 O Ц

432

н

Q R

Алынған айыппұл

9.80

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

33

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

2.7

МЖ

trr

Диод кері қалпына келтіру уақыты

V R = 600В,I F =75А,

-di/dt=320A/μs,V ГЭ =-15 V, Ls=40nH,

t vj =175 O Ц

466

н

Q R

Алынған айыппұл

11.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

35

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

3.1

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.176 0.371

К/W

R ТЖЖ

Жарық ортасына қосылу

40

К/W