Жылдам қалпына келтіру диоды

i_T(AV)

700A

v_РРМ

4000VАуысу4200V

4500В

Ауысу

Символ

Ауысу

сипаттама

Ауысу

Сынақ шарттары

Tj(°C)

құн

Ауысу

бірлік

минут

түрі

ең көп

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180°жартылай синусоидалық 50Гц Екі жақты салқындатылған

TC=70°C

125

Ауысу

Ауысу

700

a)

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

125

4000

Ауысу

4500

v

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

125

Ауысу

Ауысу

100

ана

IFSM

Сурж алға ағым

10мс жартылай синусоидалық VR=0

Ауысу

125

Ауысу

Ауысу

16

ка

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

Ауысу

Ауысу

1280

10³a)²s

VFO

Төменгі кернеу

Ауысу

Ауысу

125

Ауысу

Ауысу

1.70

v

рф

Алға қарай еңіс кедергісі

Ауысу

Ауысу

0.98

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=2000A, F=24kN

25

Ауысу

Ауысу

3.80

v

IRM

Кері Қалпына Келтіру Ағымы

Ауысу

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

Ауысу

125

Ауысу

610

Ауысу

a)

trr

Кері Қалпына Келтіру Уақыты

Ауысу

7.0

Ауысу

μs

Qrr

Алу ақысы

Ауысу

1500

Ауысу

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де°синусоидалық, екі жақты салқындатылған Қыспа күші 24kN

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.020

Ауысу

°C /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.005

м-ге

Орнату күші

Ауысу

Ауысу

19

Ауысу

26

кн

TVj

Байланыс температурасы

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

125

°C

ТСТГ

Сақталған температура

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

140

°C

Wt

салмағы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

440

Ауысу

g

сызба

ZT50cT