Түзеткіш диод

i_T(AV)

400a)

v_РРМ

8100VАуысу8300V

8500V

Ауысу

Символ

Ауысу

сипаттама

Ауысу

Сынақ шарттары

Tj(°C)

құн

Ауысу

бірлік

минут

түрі

ең көп

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180°жартылай синусоидалық 50Гц Екі жақты салқындатылған

TC=85°C

150

Ауысу

Ауысу

400

a)

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

150

8000

Ауысу

8500

v

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM бойынша      tp=10ms

150

Ауысу

Ауысу

50

ана

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын. VR=0.6VRRM

Ауысу

150

Ауысу

Ауысу

6.0

ка

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

Ауысу

Ауысу

180

10³a)²s

VFO

Төменгі кернеу

Ауысу

Ауысу

150

Ауысу

Ауысу

1.40

v

рф

Алға қарай еңіс кедергісі

Ауысу

Ауысу

2.20

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=1000A, F=24kN

25

Ауысу

Ауысу

2.55

v

Qrr

Алу ақысы

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

Ауысу

2500

Ауысу

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

Қос жағы салқындатылғанАуысуҚысып ұстайтын күш 15kN

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.045

Ауысу

°C/W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.008

м-ге

Орнату күші

Ауысу

Ауысу

10

Ауысу

20

кн

TVj

Байланыс температурасы

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

150

°C

ТСТГ

Сақталған температура

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

160

°C

Wt

салмағы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

300

Ауысу

g

сызба

ZT33dT