Түзеткіш диод

i_T(AV)

5250a)

v_РРМ

5200VАуысу5600V

6000V   6500V

Ауысу

Символ

Ауысу

сипаттама

Ауысу

Сынақ шарттары

Tj(°C)

құн

Ауысу

бірлік

минут

түрі

ең көп

Ауысу

IF(AV)

Ауысу

Орташа алға қарай ағым

180°жартылай синусоидалық толқын 50Гц Екі жақты салқындатылған,

Ауысу

TC=100°C

Ауысу

150

Ауысу

Ауысу

Ауысу

5250

Ауысу

a)

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

150

5100

Ауысу

6500

v

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

150

Ауысу

Ауысу

400

ана

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын VR=0.6VRRM

150

Ауысу

Ауысу

84

ка

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

Ауысу

Ауысу

35280

a)²s*10⁴

VFO

Төменгі кернеу

Ауысу

150

Ауысу

Ауысу

0.81

v

рф

Алға қарай еңіс кедергісі

Ауысу

Ауысу

0.12

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=5000A, F=140kN

25

Ауысу

Ауысу

1.65

v

Qrr

Алу ақысы

IFM=2000A,Ауысуtp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

Ауысу

20000

Ауысу

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де°синус, екі жақты салқындатылған Қыспа күші 140kN

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.004

Ауысу

°C/W

Rth(c-h)

Термиялық кедергі корпусынан жылу алмастырғышқа

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.001

м-ге

Орнату күші

Ауысу

Ауысу

110

Ауысу

140

кн

TVj

Байланыс температурасы

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

150

°C

ТСТГ

Сақталған температура

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

160

°C

Wt

салмағы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

3420

Ауысу

g

сызба

ZT110cT/ ZT110dT