H125ZPR,Тектеуші диод

I _T(AV)

5250А

V _РРМ

5200V 5600V

6000V 6500V

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( ℃ )

мәні

бірлік

Минуты

ТҮР

Макс

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180° жартылай синусоидалық толқын 50Гц Екі жақты салқындатылған,

TC=100 ℃

150

5250

А

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

150

5100

6500

V

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

150

400

mА

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын VR=0.6VRRM

150

84

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

35280

А ²s*10 ⁴

VFO

Төменгі кернеу

150

0.81

V

радио жабайынан кейін

Алға қарай еңіс кедергісі

0.12

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=5000A, F=140kN

25

1.65

V

Qrr

Алу ақысы

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

20000

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де ° синус, екі жақты салқындатылған Қыспа күші 140kN

0.004

℃ /W

Rth(c-h)

Термиялық кедергі корпусынан жылу алмастырғышқа

0.001

Fm

Орнату күші

110

140

кН

TVj

Байланыс температурасы

-40

150

℃

ТСТГ

Сақталған температура

-40

160

℃

Wt

Салмақ

3420

g

Нысан

ZT110cT/ ZT110dT