1200В 1200А
Қысқаша кіріспе
IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 1200V 900А.
Ерекшеліктер
Типілік қолданулар
Абсолютті Максимум Рейтингтер t F =25 O Ц егер каланын белгіленген
IGBT
Символ |
Сипаттама |
мәні |
бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
I Ц |
Коллектор токы @ T Ц =25 O C @ T Ц =100 O Ц |
1466 900 |
А |
I CM |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
1800 |
А |
p D |
Максималды қуаттылық vj =175 O Ц |
5.34 |
кВт |
Диод
Символ |
Сипаттама |
мәні |
бірлік |
V РРМ |
Қайталау Пик Кері Кернеу жас |
1200 |
V |
I F |
Диодты үздіксіз алға қарай рент |
900 |
А |
I Fm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
1800 |
А |
Модуль
Символ |
Сипаттама |
мәні |
бірлік |
t vjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
O Ц |
t vjop |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
O Ц |
t ЖТГ |
Сақтау температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
O Ц |
V ISO |
Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут |
4000 |
V |
IGBT Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
бірлік |
V (Солтүстік Қазақстан) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
I Ц =900A,V ГЭ =15В, t vj =25 O Ц |
|
2.00 |
2.45 |
V |
I Ц =900A,V ГЭ =15В, t vj =125 O Ц |
|
2.50 |
|
|||
I Ц =900A,V ГЭ =15В, t vj =150 O Ц |
|
2.65 |
|
|||
V ГЭ (th ) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
I Ц =32,0 mА ,V CE = V ГЭ , t vj =25 O Ц |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
I CES |
Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк |
V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t vj =25 O Ц |
|
|
1.0 |
mА |
I ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t vj =25 O Ц |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
1.44 |
|
Ω |
t D (ҚОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =900A, R Қон =1Ω, R Гофф =2Ω, Ls=50нГ, V ГЭ =-10/+15V, t vj =25 O Ц |
|
520 |
|
н |
t R |
Күтерілу уақыты |
|
127 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
493 |
|
н |
|
t F |
Күз мезгілі |
|
72 |
|
н |
|
E ҚОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
76.0 |
|
МЖ |
|
E Ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
85.0 |
|
МЖ |
|
t D (ҚОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =900A, R Қон =1Ω, R Гофф =2Ω, Ls=50нГ, V ГЭ =-10/+15V, t vj =125 O Ц |
|
580 |
|
н |
t R |
Күтерілу уақыты |
|
168 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
644 |
|
н |
|
t F |
Күз мезгілі |
|
89 |
|
н |
|
E ҚОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
127 |
|
МЖ |
|
E Ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
98.5 |
|
МЖ |
|
t D (ҚОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =900A, R Қон =1Ω, R Гофф =2Ω, Ls=50нГ, V ГЭ =-10/+15V, t vj =150 O Ц |
|
629 |
|
н |
t R |
Күтерілу уақыты |
|
176 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
676 |
|
н |
|
t F |
Күз мезгілі |
|
96 |
|
н |
|
E ҚОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
134 |
|
МЖ |
|
E Ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
99.0 |
|
МЖ |
Диод Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
бірлік |
V F |
Алға қарай диод Кернеу |
I F =900A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5O Ц |
|
1.95 |
2.40 |
V |
I F =900A,V ГЭ =0В,Т vj =125 O Ц |
|
2.00 |
|
|||
I F =900A,V ГЭ =0В,Т vj =150 O Ц |
|
2.05 |
|
|||
Q R |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =900A, -di/dt=7100А/мкс, Ls=50нГ, V ГЭ =-10V, t vj =25 O Ц |
|
80 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
486 |
|
А |
|
E рек |
Қайта қалпына келтіру энергия |
|
35.0 |
|
МЖ |
|
Q R |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =900A, -di/dt=5180А/мкс, Ls=50нГ, V ГЭ =-10V, t vj =125 O Ц |
|
153 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
510 |
|
А |
|
E рек |
Қайта қалпына келтіру энергия |
|
64.0 |
|
МЖ |
|
Q R |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =900A, -di/dt=4990А/мкс, Ls=50нГ, V ГЭ =-10V, t vj =150 O Ц |
|
158 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
513 |
|
А |
|
E рек |
Қайта қалпына келтіру энергия |
|
74.0 |
|
МЖ |
Модуль Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
бірлік |
L CE |
Айналадағы индуктивтілік |
|
12 |
|
nH |
R CC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке |
|
0.19 |
|
mΩ |
R ТЖК |
Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од) |
|
|
28.1 44.1 |
K/kW |
R ТХ |
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль) |
|
9.82 15.4 6.0 |
|
K/kW |
м |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М8 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы |
1.8 8.0 4.25 |
|
2.1 10 5.75 |
Н.М |
g |
Салмақ туралы Модуль |
|
1050 |
|
g |
Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.