GD820HTX75P6HFB

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 820V 750А.

Ерекшеліктер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
Қалпына келтіруден кететін шығындар аз
6 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Максималдық жылдамдау температуры 175 ℃
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
Изолированный медный пинфин базовая плита с использованием технологии DBC

Типілік қолданулар

Автомобиль өнеркәсібіне арналған
Гибридтік және электрлік көлік
Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор

Абсолютті Максимум Рейтингтер t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	Мәндер	бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	750	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I КН	Коллекторды іске асыру рент	820	А
I Ц	Коллектор токы @ T F =75 O Ц	450	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	1640	А
p D	Максималды қуат тарату ация @ t F =75 O Ц t ж =175 O Ц	751	W

Диод

Символ	Сипаттама	Мәндер	бірлік
V РРМ	Қайталанатын шың кері кернеу ГЭ	750	V
I БФ	Коллекторды іске асыру рент	820	А
I F	Диодты үздіксіз алға қарай рент	450	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	1640	А

Модуль

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
t jmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	O Ц
t жіп	Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз Жалғастық уақыт ішінде 10 секунд үшін 30 секунд, кез келген жағдайда әрбір өмірбаянда ең көп 3000 рет	-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін	O Ц
t ЖТГ	Сақтау температурасы	-40-дан +125-ге дейін	O Ц
V ISO	Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты	2500	V

IGBT Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =25 O Ц		1.25	1.50	V
		I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =150 O Ц		1.35
		I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =175 O Ц		1.40
		I Ц =820A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц		1.55
		I Ц =820A,V ГЭ =15В, t ж =175 O Ц		1.90
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =9.60 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц	5.0	5.7	7.0	V
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =9.60 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =175 O Ц		3.5		V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц			1.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпа кедергісі			0.7		Ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =50V,f=100kHz, V ГЭ =0В		42.1		НФ
Ц лық	Шығарылымдық сыйымдылық			1.80		НФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық			1.18		НФ
Q g	Қақпалық төлем	V CE =400V,I Ц =450А, В ГЭ =-8...+15В		3.01		μC
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =400V,I Ц =450А, R g =2,4Ω, L с =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V, t ж =25 O Ц		126		н
t R	Күтерілу уақыты			62		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			639		н
t F	Күз мезгілі			149		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			17.3		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			25.4		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =400V,I Ц =450А, R g =2,4Ω, L с =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V, t ж =150 O Ц		136		н
t R	Күтерілу уақыты			68		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			715		н
t F	Күз мезгілі			221		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			22.5		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			31.0		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =400V,I Ц =450А, R g =2,4Ω, L с =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V, t ж =175 O Ц		138		н
t R	Күтерілу уақыты			68		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			739		н
t F	Күз мезгілі			227		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			24.8		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			32.6		МЖ
I SC	SC деректері	t p ≤6μс, V ГЭ =15В,		5100		А
		t ж =25 O C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В
		t p ≤3μс, V ГЭ =15В, t ж =175 O C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В		3800

Диод Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц		1.40	1.65	V
		I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц		1.35
		I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 1 75O Ц		1.30
		I F =820A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц		1.70
		I F =820A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 75O Ц		1.65
Q R	Алынған айыппұл	V R =400V,I F =450А, -ди/дt=7070А/мкс,В ГЭ =-8V, L с =24 nH ,t ж =25 O Ц		16.0		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			254		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			5.03		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R =400V,I F =450А, -ди/дt=6150А/мкс,В ГЭ =-8V, L с =24 nH ,t ж =150 O Ц		36.0		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			320		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			9.49		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R =400V,I F =450А, -ди/дt=6010А/мкс,В ГЭ =-8V, L с =24 nH ,t ж =175 O Ц		40.5		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			338		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			10.5		МЖ

НТК Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
R 25	Атаулы кедергі			5.0		kΩ
∆R/R	Ауыспалы туралы R 100	t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Күш Диссипация				20.0	мW
Б 25/50	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3375		К
Б 25/80	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3411		К
Б 25/100	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік		8		nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке		0.75		mΩ
△ p	△ V/ △ t=10,0 dm 3/Минуты ,t F =75 O Ц		64		мбар
p	Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма t негізгі тақта <40 O Ц t негізгі тақта >40 O Ц (относительное басық)			2.5 2.0	бар
R ТЖЖ	Бөлшеуіш -дейін -Салқындату Сұйықтық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △ V/ △ t=10,0 dm 3/Минуты ,t F =75 O Ц		0.116 0.175	0.133 0.200	К/W
м	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы	3.6 1.8		4.4 2.2	Н.М
g	Салмақ туралы Модуль		750		g