Қысқаша кіріспе
IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 820V 750А.
Қасиеттер
Типілік қолданулар
Абсолютті Максимум Рейтингтер T F =25 o Ц егер каланын белгіленген
IGBT
Символ |
Сипаттама |
Мәндер |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
750 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
I КН |
Коллекторды іске асыру рент |
820 |
А |
I Ц |
Коллектор токы @ T F =85 o Ц |
450 |
А |
I CM |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
1640 |
А |
P D |
Максималды қуат тарату ация @ T F =75 o Ц T ж =175 o Ц |
884 |
W |
Диод
Символ |
Сипаттама |
Мәндер |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталау Пик Кері Кернеу жас |
750 |
V |
I БФ |
Коллекторды іске асыру рент |
820 |
А |
I F |
Диодты үздіксіз алға қарай рент |
450 |
А |
I Fm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
1640 |
А |
Модуль
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
T jmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
o Ц |
|
T жіп |
Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз Жалғастық уақыт ішінде 10 секунд үшін 30 секунд, кез келген жағдайда әрбір өмірбаянда ең көп 3000 рет |
-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін |
o Ц |
T ЖТГ |
Сақтау температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
o Ц |
V ISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты |
2500 |
V |
IGBT Характеристикалар T F =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
|
V (Солтүстік Қазақстан) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =25 o Ц |
|
1.25 |
1.50 |
V |
|
I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =150 o Ц |
|
1.35 |
|
||||
I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =175 o Ц |
|
1.40 |
|
||||
I Ц =820A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц |
|
1.55 |
|
||||
I Ц =820A,V ГЭ =15В, T ж =175 o Ц |
|
1.90 |
|
||||
|
V ГЭ (th ) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
I Ц =9.60 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц |
5.0 |
5.7 |
7.0 |
V |
|
I Ц =9.60 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =175 o Ц |
|
3.5 |
|
||||
I CES |
Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк |
V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц |
|
|
1.0 |
mА |
|
I ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц |
|
|
400 |
nA |
|
R Гинт |
Ішкі қақпа кедергісі |
|
|
0.7 |
|
ω |
|
Ц лар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =50V,f=100kHz, V ГЭ =0В |
|
42.1 |
|
нФ |
|
Ц лық |
Шығарылымдық сыйымдылық |
|
1.80 |
|
нФ |
||
Ц ре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
|
1.18 |
|
нФ |
||
Q G |
Қақпалық төлем |
V CE =400V,I Ц =450А, В ГЭ =-8...+15В |
|
3.01 |
|
μC |
|
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =400V,I Ц =450А, R G =2,4Ω, L С =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V, T ж =25 o Ц |
|
126 |
|
н |
|
t r |
Күтерілу уақыты |
|
62 |
|
н |
||
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
639 |
|
н |
||
t f |
Күз мезгілі |
|
149 |
|
н |
||
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
17.3 |
|
мЖ |
||
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
25.4 |
|
мЖ |
||
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =400V,I Ц =450А, R G =2,4Ω, L С =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V, T ж =150 o Ц |
|
136 |
|
н |
|
t r |
Күтерілу уақыты |
|
68 |
|
н |
||
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
715 |
|
н |
||
t f |
Күз мезгілі |
|
221 |
|
н |
||
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
22.5 |
|
мЖ |
||
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
31.0 |
|
мЖ |
||
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =400V,I Ц =450А, R G =2,4Ω, L С =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V, T ж =175 o Ц |
|
138 |
|
н |
|
t r |
Күтерілу уақыты |
|
68 |
|
н |
||
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
739 |
|
н |
||
t f |
Күз мезгілі |
|
227 |
|
н |
||
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
24.8 |
|
мЖ |
||
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
32.6 |
|
мЖ |
||
I SC |
SC деректері |
t P ≤6μс, V ГЭ =15В, |
|
5100 |
|
А |
|
|
|
T ж =25 o C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В |
|
|
|
|
|
|
t P ≤3μс, V ГЭ =15В, T ж =175 o C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В |
|
3800 |
|
Диод Характеристикалар T F =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V F |
Алға қарай диод Кернеу |
I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц |
|
1.40 |
1.65 |
V |
I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц |
|
1.35 |
|
|||
I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 1 75o Ц |
|
1.30 |
|
|||
I F =820A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц |
|
1.70 |
|
|||
I F =820A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 75o Ц |
|
1.65 |
|
|||
Q r |
Алынған айыппұл |
V R =400V,I F =450А, -ди/дt=7070А/мкс,В ГЭ =-8V, L С =24 nH ,T ж =25 o Ц |
|
16.0 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
254 |
|
А |
|
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
5.03 |
|
мЖ |
|
Q r |
Алынған айыппұл |
V R =400V,I F =450А, -ди/дt=6150А/мкс,В ГЭ =-8V, L С =24 nH ,T ж =150 o Ц |
|
36.0 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
320 |
|
А |
|
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
9.49 |
|
мЖ |
|
Q r |
Алынған айыппұл |
V R =400V,I F =450А, -ди/дt=6010А/мкс,В ГЭ =-8V, L С =24 nH ,T ж =175 o Ц |
|
40.5 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
338 |
|
А |
|
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
10.5 |
|
мЖ |
НТК Характеристикалар T F =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
R 25 |
Атаулы кедергі |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Ауыспалы туралы R 100 |
T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Күш Диссипация |
|
|
|
20.0 |
мW |
Б 25/50 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
Б 25/80 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
Б 25/100 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристикалар T F =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
L CE |
Айналадағы индуктивтілік |
|
8 |
|
nH |
R CC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке |
|
0.75 |
|
mΩ |
|
p |
Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма T негізгі тақта <40 o Ц T негізгі тақта >40 o Ц (относительное басық) |
|
|
2.5 2.0 |
бар |
|
R тЖЖ |
Бөлшеуіш -дейін -Салқындату Сұйықтық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △ V/ △ t=10,0 dm 3/минуты ,T F =75 o Ц |
|
0.103 0.169 |
0.118 0.194 |
К/W |
М |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы |
3.6 1.8 |
|
4.4 2.2 |
Н.М |
G |
Салмақ туралы Модуль |
|
750 |
|
g |
KK
