GD820HTX75P6H

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

750

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I КН

Коллекторды іске асыру рент

820

А

I Ц

Коллектор токы @ T F =60 O Ц

450

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1640

А

p D

Максималды қуат тарату ация @ t F =75 O Ц t ж =175 O Ц

752

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V РРМ

Қайталанатын шың кері кернеу ГЭ

750

V

I БФ

Коллекторды іске асыру рент

820

А

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

450

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1640

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

Жалғастық уақыт ішінде 10 секунд үшін 30 секунд, кез келген жағдайда әрбір өмірбаянда ең көп 3000 рет

-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.35

1.60

V

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

1.60

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =175 O Ц

1.65

I Ц =820A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.70

I Ц =820A,V ГЭ =15В, t ж =175 O Ц

2.20

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =9.60 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

4.9

5.8

6.5

V

I Ц =9.60 mА ,V CE = V ГЭ , Tj=175 O Ц

4.1

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.7

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =50V,f=100kHz, V ГЭ =0В

69.1

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

2.31

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.05

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V CE =400V,I Ц =450А, V ГЭ =-8...+15В

3.29

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А, R g =2,4Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, L с =24нГн,

t ж =25 O Ц

191

н

t R

Күтерілу уақыты

83

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

543

н

t F

Күз мезгілі

158

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

16.8

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

20.5

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А, R g =2,4Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, L с =24нГн,

t ж =150 O Ц

207

н

t R

Күтерілу уақыты

96

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

594

н

t F

Күз мезгілі

190

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

22.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

24.5

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А, R g =2,4Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, L с =24нГн,

t ж =175 O Ц

208

н

t R

Күтерілу уақыты

103

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

613

н

t F

Күз мезгілі

190

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

26.7

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

26.9

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤6μс, V ГЭ =15В,

4800

А

t ж =25 O C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.40

1.65

V

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц

1.35

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 1 75O Ц

1.30

I F =820A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.70

I F =820A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 75O Ц

1.65

Q R

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-di/dt=5520A/μs,V ГЭ =-8В L с =24 nH ,t ж =25 O Ц

16.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

222

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

4.50

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=4810А/мкс,V ГЭ =-8В L с =24 nH ,t ж =150 O Ц

32.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

283

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

8.19

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=4630А/мкс,V ГЭ =-8В L с =24 nH ,t ж =175 O Ц

36.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

292

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

9.03

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

8

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10,0 dm 3/Минуты ,t F =75 O Ц

64

мбар

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

t негізгі тақта <40 O Ц

t негізгі тақта >40 O Ц

(относительное басық)

2.5 2.0

бар

R ТЖЖ

Бөлшеуіш -дейін -Салқындату Сұйықтық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △ V/ △ t=10,0 dm 3/Минуты ,t F =75 O Ц

0.116 0.175

0.133 0.200

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

750

g