IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =100 O Ц

800

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1600

А

p D

Максималды қуаттылық vj =175 O Ц

4687

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

900

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1800

А

I FSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T vj =12 5O Ц @ Т vj =175 O Ц

2392

2448

А

I 2t

I 2t- мәні ,t p =10 мс @ t vj =125 O Ц @ Т vj =175 O Ц

28608

29964

А 2с

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t vj =25 O Ц

1.40

1.85

V

I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t vj =125 O Ц

1.60

I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t vj =175 O Ц

1.60

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 24,0 mА ,V CE = V ГЭ , t vj =25 O Ц

5.5

6.3

7.0

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t vj =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t vj =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.5

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

28.4

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.15

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

2.05

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =800А, R g =0.5Ω, L с =40nH, V ГЭ =-8V/+15V,

t vj =25 O Ц

168

н

t R

Күтерілу уақыты

78

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

428

н

t F

Күз мезгілі

123

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

43.4

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

77.0

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =800А,

R g =0.5Ω, L с =40nH,

V ГЭ =-8V/+15V,

t vj =125 O Ц

172

н

t R

Күтерілу уақыты

84

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

502

н

t F

Күз мезгілі

206

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

86.3

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

99.1

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =800А,

R g =0.5Ω, L с =40nH,

V ГЭ =-8V/+15V,

t vj =175 O Ц

174

н

t R

Күтерілу уақыты

90

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

531

н

t F

Күз мезгілі

257

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

99.8

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

105

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤8μs, V ГЭ =15В,

t vj =150 O С,

V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2600

А

t p ≤6μс, V ГЭ =15В,

t vj =175 O С,

V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2500

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =900A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5O Ц

1.60

2.00

V

I F =900A,V ГЭ =0В,Т vj =125 O Ц

1.60

I F =900A,V ГЭ =0В,Т vj =175 O Ц

1.50

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =800А,

-di/dt=7778A/μs,V ГЭ =-8V, L с =40 nH ,t vj =25 O Ц

47.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

400

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

13.6

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =800А,

-di/dt=7017A/μs,V ГЭ =-8V, L с =40 nH ,t vj =125 O Ц

82.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

401

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

26.5

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =800А,

-di/dt=6380A/μs,V ГЭ =-8V, L с =40 nH ,t vj =175 O Ц

110

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

413

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

34.8

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К