GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT Модуль,STARPOWER

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 1200V 800А.

Ерекшеліктер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

Типілік қолданулар

Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
АЖ және ТЖ сервоқозғалтқышы күшейтуші
Бөлінбейтін қуат көзі

Абсолютті Максимум Рейтингтер t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі Өткінші қақпа-эмиттер кернеуі	±20 ±30	V
I Ц	Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц @ Т Ц =95 O Ц	1280 800	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	1600	А
p D	Максималды қуаттылық vj =175 O Ц	3191	W

Диод

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
V РРМ	Қайталау Пик Кері Кернеу жас	1200	V
I F	Диодтің үзілмейтін алдыңғы токы нент	800	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	1600	А

Модуль

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
t vjmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	O Ц
t vjop	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +175-ке дейін	O Ц
t ЖТГ	Сақтау температурасы	-40-дан +125-ге дейін	O Ц
V ISO	Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин	4000	V

IGBT Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t vj =25 O Ц		1.30	1.75	V
		I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t vj =125 O Ц		1.45
		I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t vj =150 O Ц		1.50
		I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t vj =175 O Ц		1.55
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =32,0 mА ,V CE = V ГЭ , t vj =25 O Ц	5.5	6.1	7.0	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t vj =25 O Ц			1.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t vj =25 O Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпа кедергісі			0.38		Ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В		156		НФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық	V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В		1.10		НФ
Q g	Қақпалық төлем	V ГЭ =-8...+15В		10.3		μC
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =800А, R g =1,2Ω, V ГЭ =-8V/+15V, t vj =25 O Ц		338		н
t R	Күтерілу уақыты			174		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			1020		н
t F	Күз мезгілі			100		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			65.2		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			88.8		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =800А, R g =1,2Ω, V ГЭ =-8V/+15V, t vj =125 O Ц		398		н
t R	Күтерілу уақыты			203		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			1140		н
t F	Күз мезгілі			183		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			96.6		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			109		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =800А, R g =1,2Ω, V ГЭ =-8V/+15V, t vj =150 O Ц		413		н
t R	Күтерілу уақыты			213		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			1140		н
t F	Күз мезгілі			195		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			105		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			113		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =800А, R g =1,2Ω, V ГЭ =-8V/+15V, t vj =175 O Ц		419		н
t R	Күтерілу уақыты			223		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			1142		н
t F	Күз мезгілі			205		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			110		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			115		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту
I SC	SC деректері	t p ≤8μs, V ГЭ =15В, t vj =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В		3300		А
I SC	SC деректері	t p ≤6μс, V ГЭ =15В, t vj =175 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В		3000		А

Диод Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F = 800А,В ГЭ =0В,Т vj =2 5O Ц		1.85	2.30	V
		I F = 800А,В ГЭ =0В,Т vj =125 O Ц		1.85
		I F = 800А,В ГЭ =0В,Т vj =150 O Ц		1.85
		I F = 800А,В ГЭ =0В,Т vj =175 O Ц		1.85
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =800А, -di⁄dt=5510A⁄μs,V ГЭ =-8V, t vj =25 O Ц		28.6		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			311		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			13.9		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =800А, -di⁄dt=4990A⁄μs,V ГЭ =-8V, t vj =125 O Ц		56.8		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			378		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			23.7		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =800А, -di⁄dt=4860A⁄μs,V ГЭ =-8V, t vj =150 O Ц		66.3		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			395		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			26.7		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =800А, -di⁄dt=4790A⁄μs,V ГЭ =-8V, t vj =175 O Ц		72.1		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			403		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			28.6		МЖ

Модуль Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік		20		nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке		0.42		mΩ
R ТЖК	Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)			0.047 0.083	К/W
R ТХ	Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)		0.031 0.055 0.010		К/W
м	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы	2.5 3.0		5.0 5.0	Н.М
g	Салмақ туралы Модуль		320		g